Рассмотрение их ведётся лишь в общих чертах. Цель – понять особенности компонентов. Подробнее о них можно узнать из курса «Технология приборостроения» (каф. ИУ-4).

       Изготовление всех компонентов в одной полупроводниковой пластине требует, в первую очередь, решения вопроса об изоляции друг от друга компонентов.

       Существует два способа изоляции:

1. Изоляция обратносмещённым p-n переходом.
2. Диэлектрическая изоляция слоем SiO₂.

Большинство выпускаемых ИПС относится к первой группе (с изоляцией обратносмещённым p-n переходом).

       Коротко рассмотрим процесс планарной технологии изготовления таких ИПС.

1. Слиток – монокристалл Si p-типа. Этот слиток режется на тонкие (150-200 мкм) пластины. Пластины шлифуются, травятся, чтобы получить очень гладкую и чистую поверхность, от состояния которой в значительной степени зависят характеристики будущей схемы.
2. На поверхности пластины выращивается эпитаксиальная плёнка. В дальнейшем именно в этом слое и формируются эмиттеры, базовые и коллекторные области транзисторов, резисторы, а также одна из обкладок конденсаторов. Далее чередуются процессы фотолитографии и диффузии.
3. Фотолитография. На слой SiO₂, выращенный на пластине, наносится слой фоточувствительного материала, называемого фоторезистом, который засвечивается через специальный фотошаблон. Фотошаблон имеет рисунок, изображающий окна для будущей диффузии. Затем обычное проявление: в окнах обнажается слой SiO₂, который ликвидируется травлением. Описанные процессы получения локального (местного) доступа к поверхности пластины называются фотолитографией. Фоторезист смывается, и в образовавшиеся окна осуществляется диффузия примесей.
4. Выполнение разделительной диффузии.

Образуются островки n-полупроводника, в которых будут в дальнейшем размещаться отдельные компоненты. Они отделены друг от друга двумя p-n переходами, которые всегда закрыты благодаря подключению подложки p-типа к самому низкому потенциалу в схеме.

1. Выполнение базовой диффузии.

1. Выполнение эмиттерной диффузии (одновременно увеличивается концентрация доноров в местах подключения коллекторных контактов).

1. Металлизация (нанесение плёнки алюминия Al) для образования контактных площадок, к которым в дальнейшем будут подсоединяться выводы схемы, соединяемые с корпусом. Также они необходимы для осуществления контакта с соответствующими областями компонента, осуществления металлосоединений в схеме.