T _макс – максимальная температура (в градусах Цельсия), при которой может работать транзистор. Для германиевых транзисторов , для кремниевых .

P _макс – максимальная мощность, рассеиваемая прибором. Складывается из P _{э макс} и P _{к макс}. Но, обычно P _к >> P _э и при расчётах выбирают транзистор по P _к:

P _к < P _{к макс}.

 - ограничение по мощности связано с нагревающим прибором из-за рассеивания мощности и нужно, чтобы при этом T < T _макс.

       В числителе приведено допустимое приращение T из-за выделения мощности, R_t – тепловое сопротивление. , допустимое приращение  и . То есть P _макс – функция T _окр. R_t у маломощных транзисторов примерно равно нескольким десятым градуса на милливатт. Пусть в справочнике для МП20 дано:

(при ). Транзистор работает при . Необходимо, чтобы:

.

       Для мощных транзисторов важно уменьшать R_t. Так, для П210: . Следовательно, при

.

Снижение R_t обеспечивается увеличением поверхности корпуса, её чернением, применением дополнительных теплоотводов (радиаторов). Корпус транзистора монтируется на радиаторы через изоляционную прокладку (с ). Если изолируется тонким слоем эпоксидной смолы, то можно получить .

Предельные напряжения. Чаще всего указывается U _{кэ макс}. Ограничения объясняются двумя причинами:

1. При запирании перехода область пространственного заряда распространяется в основном в менее легированную базовую область. То же происходит и со стороны эмиттера. Эти области могут соединиться (прокол базы). Транзистор теряет свои свойства и, если нет ограничивающих сопротивлений, выходит из строя.
2. В широких переходах (образуются при больших обратных смещениях) возможен так называемый внешний пробой.

Иногда назначают U _{кб макс} и U _{эб макс}.

Предельные токи. Ограничения на токи назначают по следующим причинам: внутри корпуса могут перегореть тонкие выводы электродов. У мощных транзисторов ограничения на ??? меньше (?) коэффициента усиления по току B.

В импульсе допускаются большие значения тока в режиме переключения.

Обозначения транзисторов.

       При выборе типов транзисторов для разрабатываемой схемы инженеру в первую очередь нужно знать параметры P _макс и f_α (или f _в, или f _макс).

       Обозначения транзисторов связаны с их классификацией по частоте и мощности. Кроме того, в обозначении указывается тип полупроводника.

Первый символ: Г (или 1) – германий, К (или 2) – кремний, А (или 3) – арсенид галлия.

Второй символ: Т – транзистор, Д – диод, Ф – фотоприбор, И – туннельный диод, С – стабилитрон, Н – неуправляемый многослойный переключательный прибор, У – управляемый многослойный переключательный прибор (тиристор).

Далее идёт число (трёхразрядное), которое говорит о P _макс и f_α. Ниже приведена таблица этих чисел в зависимости от P _макс и f_α.

Последний символ: буква (её может и не быть) – номер модификации.

Например, 2Т319 или КТ319 – кремниевый транзистор (маломощный, высокочастотный).

       Такая система обозначений была введена в 1964 г. Приборы более ранних разработок обозначаются иначе. Транзисторы имеют в обозначении букву П (что означает плоскостной тип) и число. Например, П13А, МП42, П416Б (число здесь не связано с приведённой выше таблицей).