1. Если h-параметры измерены в том режиме, в котором работает реальная схема, то они точнее характеризуют транзистор. В противном случае предпочтение следует отдать Т-образной физической малосигнальной схеме, так как зависимости её параметров от режима известны, а для h- или y-параметров они могут быть получены только путём трудоёмких экспериментов.
2. На высших частотах h- и y-параметры становятся комплексными – их измерение и использование затрудняются. Поэтому в этом случае лучше использовать физическую модель.

Дрейфовые транзисторы.

       Транзисторы, изготовленные по диффузионной технологии, имеют неоднородное (неравномерное) распределение примесей в базе. Это приводит к возникновению в базе электрического поля, направленного в p-n-p транзисторах от эмиттера к коллектору и, следовательно, ускоряющего движение инжектированных дырок. Также транзисторы, у которых неосновные носители тока в базе перемещаются преимущественно под действием сил дрейфа в электрическом поле, называются дрейфовыми.

, откуда следует, что напряжённость поля в базе будет равна

Таким образом, поле в базе постоянно, то есть не зависит от координаты x при экспоненциальном распределении примесей.

, где  называется коэффициентом поля.

Концентрация доноров в базе возле эмиттера больше, чем возле коллектора, а это приводит к наклону энергетических уровней. Ясно, что такой наклон энергетических уровней способствует движению дырок к коллектору.

       Результат: время пролёта дырок через базу (ранее обозначенное как τ_α) уменьшается, а f_α растёт. Более быстрый перенос дырок через базу способствует увеличению коэффициента переноса β, a , следовательно и α с B. Однако увеличение f_α происходит быстрее, чем B, поэтому у дрейфовых транзисторов более высокими оказываются и значения f _в.

.

       Таким образом, отличия дрейфовых транзисторов от бездрейфовых заключаются в лучших числовых значениях ряда параметров, а системы параметров и эквивалентные схемы остаются прежними.

       Для того, чтобы сделать транзистор более высокочастотным, нужно увеличивать коэффициент поля, но этому препятствует уменьшение эффективности эмиттера γ (при увеличении N _э) и невозможность уменьшения N _к, так как при этом снижается рабочий диапазон температур. Можно уменьшать толщину базы, но только лишь до тех пор, пока это допускают требуемые пробивные напряжения коллекторного перехода (чтобы не было перекрытия базы).

Лекция 12.