Транзистор, независимо от его схемы включения, можно охарактеризовать четырьмя семействами статических характеристик (семействами, а не отдельными характеристиками, так как состояния выхода влияют на вход и наоборот). Эти семейства:

1)  - семейство входных характеристик.

2)  - семейство выходных характеристик.

3)  - семейство передаточных характеристик по току.

4)  - семейство передаточных характеристик по напряжению.

В зависимости от схемы включения транзистора к входным токам можно отнести I _э (в схеме ОБ) или I _б (в схемах ОК или ОЭ); к выходным токам – I _к (схемы ОБ, ОЭ) или I _э (в схеме ОК); ко входным напряжениям – U _эб (для всех схем включения); к выходным напряжениям – U _кб (схема ОБ) или U _кэ (схемы ОЭ и ОК). Таким образом, мы имеем дело с шестью переменными (I _э , I _б , I _к , U _эб , U _кб , U_кэ), из которых лишь две являются независимыми, а остальные – функции двух независимых переменных. Следствием этого является то, что семейства входных и выходных характеристик могут быть перестроены в оба семейства передаточных характеристик.

Наиболее широкое распространение получили семейства входных и выходных характеристик для схемы ОЭ включения транзистора.

До тех пор, пока | U _кэ |< U _эб, происходит значительное смещение вольт-амперных входных характеристик вправо с увеличением | U _кэ |, так как это режим насыщения и в нём преобладает ток базы, ток прямосмещённого коллекторного перехода. Как только | U _кэ | становится больше U _эб, смещение характеристик вправо определяется преимущественно эффектом Эрли и утечками.

При обратных смещениях перехода Э-Б ток базы остаётся постоянным и равным -I _ко.

Характеристики схемы ОЭ.

Отсечка: I _к = I _ко , I _б =- I _ко. При I _б =0 I _к =( B +1) I _ко и транзистор уже в активной области.

Насыщение: U _кэ составляет десятые (сотые) доли вольта. В насыщении возрастание I _б не приводит к увеличению I _к, так как:

.

При | U _кэ |>| U _{кэ макс} | возможен пробой коллекторного перехода с резким возрастанием I _к.

Для активной области: .

Каждая из характеристик имеет наклон, что означает зависимость (хоть и слабую) выходного тока I _к от выходного напряжения. Это объясняется наличием утечки (R _у) тока обратносмещённого перехода и эффектом Эрли (уменьшение ширины базы с увеличением U _кэ, вследствие чего возрастает B).

       Эту зависимость можно можно учесть добавлением в формулу для тока I _к дополнительного члена. Тогда она приобретает вид:

,

где  - выходное сопротивление транзистора, включённого по схеме ОЭ; B и I _ко определяются для U _кэ = U _кэА, U _кэА – напряжение в рабочей точке А, принимаем B = const , I _ко = const , Δ U _кэ – отклонение U _кэ от U _кэА.

Кроме зависимости B от U _к, имеет место зависимость B от I _к, что выражается в неодинаковости расстояния между соседними выходными характеристиками. На рисунке показана типичная зависимость для бездрейфовых транзисторов.

С ростом тока коллектора I _к (тока эмиттера I _э) коэффициент переноса β увеличивается за счёт того, что заряд электронов, компенсирующий заряд дырок, приходит через вывод базы и распределяется в ней неравномерно, повторяя закон распределения дырок. Это эквивалентно тому случаю, когда область базы легирована неравномерно. При неравномерном легировании базы в ней появляется ускоряющее поле для неосновных носителей, которые теперь пролетают базу быстрее и меньшая их часть успевает рекомбинировать на пути к коллектору. Чем больше ток коллектора I _к (эмиттера I _э), тем больше поле.

       Однако с ростом I _к (уровня инжекции) растёт концентрация основных носителей в области базы, что ведёт к падению коэффициента γ (эффективность эмиттера), так как возрастает электронная составляющая (бесполезная) в диффузионном токе эмиттерного перехода. При малых I _к прирост β больше уменьшения γ, при средних и больших I _к наоборот.

       В большинстве практических случаев зависимость B от U _к и I _к не учитывают, принимая B = const . При более точных расчётах эту зависимость необходимо учитывать.

       Меньшее распространение получили характеристики транзистора при включении его по схеме ОБ (см. рисунки).

Входные характеристики ОБ.                                 Выходные характеристики ОБ.

Сравнение характеристик ОБ с характеристиками ОЭ:

а) Меньшая зависимость входного тока I _э от выходного напряжения U _кб.

б) Выходные характеристики заходят в область, где U _кб >0 (насыщение).

в) Меньший наклон выходных характеристик:

,

где  - выходное сопротивление транзистора, включённого по схеме ОБ.