Особый интерес к этой группе материалов вызван потребностями оптоэлектроники в быстродействующих источниках и приемниках излучения. Инжекционные лазеры и светодиоды на основе соединений АIIIВV характеризуются высокой эффективностью преобразования электрической энергии в электромагнитное излучение.

Большой набор значений ΔЕ0 у полупроводников типа АIIIВV позволяет создавать на их основе различные виды фотоприемников, перекрывающих широкий диапазон спектра. Среди них наибольшее распространение получили фотодиоды и фотоэлементы. GaAs является одним из лучших материалов для применения в солнечных батареях. InSb используется для изготовления приемников ИК – излучения, обладающих фоточувствительностью вплоть до x =7 мкм.

Соединения АIIIВV позволяя создавать эффективные фотоумножители, работающие на основе внешнего фотоэффекта, фотокатоды и эмиттеры вторичных электронов. Например, фотокатоды из GaAs р-типа, активированного пленкой СsО2 для снижения работы выхода электронов, обладает квантовым выходом в ближней ИК-области спектра на несколько порядков выше, чем у фотокатодов из традиционных материалов.

Токовая неустойчивость в сильных электрических полях используется для создания генераторов СВЧ - колебаний, генераторов Ганна. Кроме GaAs, перспективными материалами являются InP, InAs и твердые растворы на их основе.

GaAs и InSb применяются для изготовления туннельных диодов.

InSb и InAs благодаря высоким значениям подвижности носителей заряда используют для изготовления магниторезисторов и преобразователей Холла.

InSb и InP используют для изготовления тензометров.

GaAs широко применяется для изготовления полевых транзисторов в быстродействующих ИС.

Арсенид галлия GaAs

Наиболее эффективной акцепторной примесью в GaAs является Zn с ΔЕ0=0,08 эВ, предел растворимости Zn в GaAs равен 1026м'3. Наиболее эффективным донором является Se, ΔЕ0=0,008 эВ, предел растворимости - 1027м3. Высокоомный GaAs получают легированием никелем или хромом. Сопротивление возрастает в присутствии О2, что объясняется компенсацией доноров и акцепторов.

Арсенид галлия выпускается в виде монокристаллических слитков четырех марок: АГЭ, АГЭТ, АГДЦ и АГП (А и Г - арсенид галлия, Э и Д - электронного и дырочного типов, Т и Ц - легирующий элемент - теллур и цинк, П - полуизолирующий). Две цифры, обычно стоящие после буквенного обозначения, указывают: первая - номинальную концентрацию носителей заряда, а вторая является показателем степени десятичного порядка этой величины (например, в обозначении АГЭ - 4 – 15 цифры указывают концентрацию, равную 4*1015см-3).

Арсенид галлия n-типа, легированный селеном, применяется для изготовления туннельных импульсных диодов.

Фосфид галлия

GaP имеет рабочий температурный предел, равный 1000 °С. На GaP изготовляют фотодиоды с красным и оранжевым свечением. Фосфид галлия представляет собой монокристаллические слитки или дендритные пластины и выпускается шести марок: ФГЭТ - К/10, ФГЭТ - 0/20, ФГЭТ - 3/50, ФГЭТК - К/30, ФГДЦ - 3 и ФГДЦК - К. Буквы в числителе дроби обозначают: ФГ - фосфид галлия, Т, Ц и К - легирующие примеси (Те, Zn, O2), буква после дефиса - цвет свечения материала (К - красный, О - оранжевый, 3 - зеленый), а цифра в знаменателе - минимальную яркость свечения (кд/м2).

ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Что такое подвижность

Подвижность носителей заряда - это отношение скорости направленного движения носителей заряда в веществе под действием электрического поля к напряженности этого поля.

1) В газе подвижность ионов и электронов обратно пропорциональна давлению газа, массе частиц и их средней скорости; подвижность электронов в несколько тысяч раз превосходит подвижность ионов.

2) В твердом теле подвижности электронов проводимости и дырок зависят от процессов их рассеяния на дефектах и колебаниях решетки.

3) В растворах подвижность ионов определяется формулой

U = Fu,

где F - постоянная Фарадея,

u - скорость движения иона (в см/с)

при напряженности электрического поля 1 В/см; она зависит от природы иона, а также от температуры, диэлектрической проницаемости, вязкости и концентрации раствора.