Твердые растворы открывают широкие возможности создания гетеропереходов и приборов на их основе. Гетеропереход - контакт двух полупроводников с различной ΔЕо. Для получения гетеропереходов со свойствами идеального контакта необходимо выполнить ряд условий совместимости материалов по механическим, кристаллохимическим и термическим свойствам. Решающим критерием при выборе материалов контактной пары является соответствие периодов их кристаллических решеток и ТКЛР. Особенность электрических свойств гетеропереходов заключается в преимущественной инжекции носителей заряда из широкозонного полупроводника в узкозонный.

Если компоненты гетеропары обладают взаимной растворимостью во всем интервале концентраций, то появляется уникальная возможность создавать гетеропереходы между химическим соединением АС и твердым раствором на его основе - AxB1-xС. Это обстоятельство позволяет плавно изменять свойства материалов на контактной границе, что важно при изготовлении ряда приборов оптоэлектроники - гетеролазеров, светодиодов и быстродействующих фотоприемников (источников и приемников излучения).

Среди полупроводников типа АIIIВV наилучшими парами для создания идеальных гетеропереходов являются системы GaAs - AlxGa1-xAs и GaSb - AlxGa1.xSb. Преимущества указанных гетеропар заключаются в том, что период решетки в твердых растворах слабо зависит от состава и близок к периоду решетки бинарного соединения (соответственно, GaAs и GaSb).

В качестве примера можно рассмотреть схему лазера с двойной гетероструктурой (рис. 2.2). Область рекомбинации носителей заряда и светового излучения сосредоточены в среднем узкозонном активном слое
(p-GaAs), заключенном между двумя широкозонными эмиттерами
(AlxGa1-xAs). При подаче прямого напряжения в такой  структуре имеет место двухсторонняя инжекция носителей заряда в активный слой. Благодаря эффективному возбуждению удается достигнуть высокого квантового выхода люминесценции и снизить пороговую плотность тока, требуемую для генерации когерентного излучения. Снижение порогового тока увеличивает срок службы приборов и позволяет осуществить непрерывный режим генерации при Т=300 К, который не удается реализовать в инжекционных лазерах на гомогенных структурах с р-n-переходом.

При использовании четырехкомпонентных твердых растворов типа AxB1-xCyD1-y возникают дополнительные степени свободы для варьирования параметрами сопрягаемых материалов. Наиболее интересными и изученными являются твердые растворы GaxIn1-xAs1-yPy , в которых имеет место замещение по обеим подрешеткам при сохранении общей стехиометрии, т.е. равенство суммарных количеств атомов металла и металлоида. В качестве исходных компонентов такого твердого раствора можно рассматривать четыре бинарных соединения: GaP, InP, GaAs, InAs.

Особый интерес представляют твердые растворы GaxIn1-xAs1-yPy с изопериодическим замещением к InP. В зависимости от состава их ΔЕ0 может изменяться в пределах от 0,75 до 1,35 эВ. Инжекционные лазеры на основе гетёропары InP – GaxIn1-xAs1-yPy перспективны для применения в ВОЛС, поскольку спектральный диапазон их излучения соответствует минимальным оптическим потерям кварцевого волокна.