Электрод истока является общим и относительно его определяются величина и знак прикладываемого напряжения и протекающего тока. Рассмотрим на примере n-канального МДП-транзистора с индуцированным каналом, каким образом выбираются величина и знак напряжения на затворе, стоке и подложке, обеспечивающих работу МДП-транзистора в активном режиме.

Для МДП-транзистора с индуцированным n-каналом при нулевом напряжении на затворе V_G = 0 канал между истоком и стоком отсутствует. Для формирования канала необходимо подать напряжение на затвор V_G такого знака, чтобы на поверхности полупроводника сформировался инверсионный слой. Для n-канального транзистора (полупроводниковая подложкаp-типа) знак напряжения V_G в этом случае должен быть положительным. Напряжение на затворе V_G, при котором происходит формирование инверсионного канала, называется пороговым напряжением и обозначается V_T. Следовательно, величина напряжения на затворе V_G в активной области должна быть больше, чем значение порогового напряжения: 0 < V_T < V_G.

Напряжение, поданное на сток V_DS, вызывает движение электронов в инверсионном слое между истоком и стоком. С точки зрения транзисторного эффекта безразлично, в каком направлении в канале будут двигаться носители. Но в то же время напряжение V_DS, приложенное к стоку, - это напряжение, приложенное к стоковому n+-p-переходу. При положительном знаке V_DS > 0 это соответствует обратному смещению стокового n+-p-перехода, а при отрицательном знаке V_DS < 0 это соответствует прямому смещению p-n-перехода «сток - подложка». В случае прямого смещения p-n-перехода «сток - подложка» в цепи стока будет течь дополнительно к току канала еще и большой ток прямосмещенногоp-n-пе-рехода, что затруднит регистрацию тока канала.

В случае обратного смещения p-n-перехода «сток - подложка» паразитный ток будет составлять наноамперы и будет пренебрежимо мал. Таким образом, знак напряжения на стоке V_DS нужно выбирать так, чтобы стоковый переход был смещен в обратном направлении. Для n-канальных транзисторов это условие соответствует V_DS > 0, а для p-канальных транзисторов V_DS < 0. На рис. 1.6 показана схема p-канального МДП-транзистора в области плавного канала [6].

Рисунок 1.6 - Схема p-канального МДП-транзистора в области плавного канала.

Напряжение, подаваемое на подложку V_SS, управляет током в канале через изменение заряда в области обеднения Q_B, или, что то же самое, через изменение порогового напряжения V_T. Для эффективного увеличения ширины области обеднения, следовательно, заряда в области обеднения необходимо подавать обратное смещение на индуцированный электронно-дырочный переход «канал - подложка». Для n-канальных транзисторов это условие соответствует отрицательному знаку напряжения на подложке V_SS < 0, а для p-канальных транзисторов - положительному знаку напряжения V_SS > 0. На рис. 1.7 приведена схема p-канального МДП-транзистора в области плавного канала при наличии управляющего напряжения на подложке [5].

Рисунок 1.7 - Схема p-канального МДП-транзистора в области плавного канала при наличии напряжения на подложке.