Содержание
ВВЕДЕНИЕ. 2
1 СВЕДЕНИЯ И ПОНЯТИЯ О МДП-ТРАНЗИСТОРАХ.. 4
1.1 Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик– –полупроводник). 4
1.2 Типы и устройство полевых транзисторов. 7
1.3 Принцип работы МДП-транзистора. 9
1.4 Выбор знаков напряжений в МДП-транзисторе. 11
1.5 Характеристики МДП-транзистора в области плавного канала. 14
1.6 Характеристики МДП-транзистора в области отсечки. 19
1.7 Влияние типа канала на вольт-амперные характеристики МДП-транзисторов 24
1.8 Эквивалентная схема и быстродействие МДП-транзистора. 26
2 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК МДП-ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ.. 29
2.1 Основные сведения об арсениде галлия. 29
2.2 Основные параметры МДП-транзистора. 31
2.3 Расчет параметров МДП-транзистора. 31
ВЫВОДЫ.. 36
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ………………………………………………………36
ВВЕДЕНИЕ
Среди многочисленных разновидностей полевых транзисторов, возможно, выделить два основных класса: полевые транзисторы с затвором в виде pn перехода и полевые транзисторы с затвором, изолированным от рабочего полупроводникового объема диэлектриком. Приборы этого класса часто так же называют МДП-транзисторами (от словосочетания металл-диэлектрик-полупроводник) и МОП транзисторами (от словосочетания металл-окисел - полупроводник), поскольку в качестве диэлектрика чаще всего используется окись кремния.
Основной особенностью полевых транзисторов, по сравнению с биполярными, является их высокое входное сопротивление, которое может достигать 109 - 1010 Ом. Таким образом, эти приборы можно рассматривать как управляемые потенциалом, что позволяет на их основе создать схемы с чрезвычайно низким потреблением энергии в статическом режиме. Последнее особенно существенно для электронных статических микросхем памяти с большим количеством запоминающих ячеек.
Так же как и биполярные полевые транзисторы могут работать в ключевом режиме, однако падение напряжения на них во включенном состоянии весьма значительно, поэтому эффективность их работы в мощных схемах меньше, чем у биполярных приборов.
Полевые транзисторы могут иметь как p, так и n управление которыми осуществляется при разной полярности на затворах. Это свойство комплементарности расширяет возможности при конструировании схем и широко используется при создании запоминающих ячеек и цифровых схем на основе МДП транзисторов (CMOS схемы).
Полевые транзисторы относятся к приборам униполярного типа, это означает, что принцип их действия основан на дрейфе основных носителей заряда. Последнее обстоятельство значительно упрощает их анализ по сравнению с биполярными приборами, поскольку, в первом приближении, возможно, пренебречь диффузионными токами, неосновными носителями заряда и их рекомбинацией [9].
СВЕДЕНИЯ И ПОНЯТИЯ О МДП-ТРАНЗИСТОРАХ
РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК МДП-ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Основн ые параметры МДП-транзистора
Сox — удельная емкость подзатворного диэлектрика
IсID — ток стока
IзIG — ток затвора
IDS — ток канала исток-сток
R0 — омическое сопротивление
Ri — внутреннее сопротивление
S — крутизна характеристики
Uзи UGS — напряжение затвор-исток
Uси UDS — напряжение исток-сток
Uзс UDG — напряжение сток-затвор
UЗИ пор Uпор UGS(th) VT — пороговое напряжение
UЗИ отс Uотс UGS(off) — напряжение отсечки
Vox — падение напряжения на окисном слое
VТ — пороговое напряжение
VSS — напряжение, приложенное к подложке
μ — коэффициент усиления
ВЫВОДЫ
В ходе данной курсовой работе:
были рассмотрены свойства МДП-структури, а также типы и устройство полевых транзисторов;
рассмотрены характеристики МДП-транзистора;
определено влияние типа канала на вольт-амперные характеристики прибора;
рассмотрены основны свойства и параметры полупроводника арсенида галлия;
рассчитаны параметры и характеристики МДП-транзистора.
В результате расчетов параметров и характеристик полупроводниковых приборов были получены результаты, не противоречащие справочным данным.
Так же были получены значения основных параметров: пороговое напряжение , напряжение смыкания , сопротивление стока и истока rи=rс=42,07 Ом. В результате построений характеристик МДП-транзистора были получены типичные вольтамперные характеристики транзистора МДП-типа с индуцированным каналом n-типа.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Ніконова З.А., Небеснюк О.Ю. Твердотіла електроніка. Конспект лекцій для студентів напрямку «Електроніка» ЗДІА/ Запоріжжя: Видавництво ЗДІА, 2002. - 99с.
2. Твердотіла електроніка. Навчальний посібник до курсового проекту для студентів ЗДІА спеціальності «Фізична та біомедична електроніка» денної та заочної форм навчання /Укл: З.А. Ніконова, О.Ю. Небеснюк,, М.О. Літвіненко, Г.А. Слюсаревська. Запоріжжя, 2005. - 40с.
3. Батушев В. А. Электронные приборы. – М. , “Высшая школа” 1980..
4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника – М.: Высшая школа, 1991г. - 617с.
5. Гуртов В. А. Твердотельная электроника: Учеб. пособие // В. А. Гуртов; ПетрГУ. – Петрозаводск, 2004. - 312 с.
6. Городецкий Л. Ф. Полупроводниковые приборы // Л. Ф. Городецкий,А. Ф. Кравченко, М.: Высшая школа, 1967, - 348 с.
7. Епифанов Г.И. Физические основы микроэлектроники М.: Сов. радио, 1971 г. - 376 с.
8. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника. М.: Высшая школа, 1987г. - 326 с.
9. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высшая школа, 1983г. - 384 с.
10. Жеребцов И.П. Основы электроники. - Энергоатомиздат, Ленинградское отд-ние, 1989г. - 352 с.
11. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 368 с.
12. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Под ред. Н. Н. Горюнова - М.: Энергоатомиздат, 1985г. - 204 с.
13. Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1987г. - 479 c.
14. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Сов. радио, 1980г. - 424 с.
15. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. - М.: Энергоатомиздат, 1990г. - 376 с.
16. Федотов Я. А. Основы физики полупроводниковых приборов. М., “Советское радио”, 1970г. - 392 с.
17. Электроника: Энциклопедический словарь.//Гл. ред. В. Г. Колесников. М.: Советская энциклопедия, 1991. - 688 с.
Содержание
ВВЕДЕНИЕ. 2
1 СВЕДЕНИЯ И ПОНЯТИЯ О МДП-ТРАНЗИСТОРАХ.. 4
1.1 Свойства МДП-структуры (металл–диэлектрик– –полупроводник). 4
1.2 Типы и устройство полевых транзисторов. 7
1.3 Принцип работы МДП-транзистора. 9
1.4 Выбор знаков напряжений в МДП-транзисторе. 11
1.5 Характеристики МДП-транзистора в области плавного канала. 14
1.6 Характеристики МДП-транзистора в области отсечки. 19
1.7 Влияние типа канала на вольт-амперные характеристики МДП-транзисторов 24
1.8 Эквивалентная схема и быстродействие МДП-транзистора. 26
2 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ И ХАРАКТЕРИСТИК МДП-ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ.. 29
2.1 Основные сведения об арсениде галлия. 29
2.2 Основные параметры МДП-транзистора. 31
2.3 Расчет параметров МДП-транзистора. 31
ВЫВОДЫ.. 36
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ………………………………………………………36
ВВЕДЕНИЕ
Среди многочисленных разновидностей полевых транзисторов, возможно, выделить два основных класса: полевые транзисторы с затвором в виде pn перехода и полевые транзисторы с затвором, изолированным от рабочего полупроводникового объема диэлектриком. Приборы этого класса часто так же называют МДП-транзисторами (от словосочетания металл-диэлектрик-полупроводник) и МОП транзисторами (от словосочетания металл-окисел - полупроводник), поскольку в качестве диэлектрика чаще всего используется окись кремния.
Основной особенностью полевых транзисторов, по сравнению с биполярными, является их высокое входное сопротивление, которое может достигать 109 - 1010 Ом. Таким образом, эти приборы можно рассматривать как управляемые потенциалом, что позволяет на их основе создать схемы с чрезвычайно низким потреблением энергии в статическом режиме. Последнее особенно существенно для электронных статических микросхем памяти с большим количеством запоминающих ячеек.
Так же как и биполярные полевые транзисторы могут работать в ключевом режиме, однако падение напряжения на них во включенном состоянии весьма значительно, поэтому эффективность их работы в мощных схемах меньше, чем у биполярных приборов.
Полевые транзисторы могут иметь как p, так и n управление которыми осуществляется при разной полярности на затворах. Это свойство комплементарности расширяет возможности при конструировании схем и широко используется при создании запоминающих ячеек и цифровых схем на основе МДП транзисторов (CMOS схемы).
Полевые транзисторы относятся к приборам униполярного типа, это означает, что принцип их действия основан на дрейфе основных носителей заряда. Последнее обстоятельство значительно упрощает их анализ по сравнению с биполярными приборами, поскольку, в первом приближении, возможно, пренебречь диффузионными токами, неосновными носителями заряда и их рекомбинацией [9].
СВЕДЕНИЯ И ПОНЯТИЯ О МДП-ТРАНЗИСТОРАХ
Дата: 2019-05-28, просмотров: 232.