На схеме видно, что на отрезке А ток растет с увеличением напряжения. На участке В полупроводник проявляет отрицательное сопротивление (туннельный эффект), приводящее к тому, что при росте вольтовой характеристики ток снижается. На отрезке С прибор снова обеспечивает прямую зависимость между током и напряжением.

Туннельные диоды предназначены для работы как раз на отрезке, для которого характерно отрицательное сопротивление. Небольшое повышение напряжения выключает его, а снижение – включает.

Параметры туннельного диода обеспечивают его использование в следующих областях:

• в качестве высокоскоростного выключателя;
• в роли усилителя, в котором повышение напряжения вызывает более значительный рост тока, по сравнению со стандартными диодными устройствами;
• для получения и усиления электромагнитных колебаний;
• в радиоэлектронных переключающих и импульсных устройствах различного назначения, для которых актуально высокое быстродействие.

Биополярные транзисторы, режимы работы.

Схемы включения биополярных транзисторов.

Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор, который состоит из трех полупроводников с чередующимся типом примесной проводимости. К каждому слою подключен и выведен электрод. В биполярном транзисторе используются одновременно заряды, носители которых электроны ( n - “ negative ”) и дырки ( p – “ positive ”), то есть носители двух типов, отсюда и образование приставки названия «би» - два.

Транзисторы различаются по типу чередования слоев:

- p np-транзистор (прямая проводимость);

- npn -транзистор (обратная проводимость).

Биполярный транзистор имеет две ВАХ (вольт амперные характеристики):

· Входная ВАХ – это зависимость тока базы (I_Б) от напряжения база-эмиттер (U_БЭ).

· Выходная ВАХ – это зависимость тока коллектора (I_К) от напряжения коллектор-эмиттер (U_КЭ).

Для подключения транзистора нам доступны только его три вывода (электрода). Следовательно, существуют 3 схемы подключения биполярного транзистора:

· Схема включения с общим эмиттером (ОЭ) характеризуется наибольшим усилением тока и напряжения, соответственно и мощности,  недостаток – низкая частотная характеристика.

· Схема включения с общей базой (ОБ) обеспечивает отличную частотную характеристику, но не дает такого большого усиления сигнала по напряжению как с общим эммитером.

· Схема с общим коллектором (ОК)

Системы параметров транзисторов.