Rmax=60000 Ом
Rmin=680 Ом
< 30
Определяем коэффициент формы резисторов.
3,593
3,485
3,593
3,485
1,294
1,797
0,988
1,797
3,593
0,755
0,981
0,212
Определение геометрических размеров пленочных резисторов по мощности.
| i | 
| 
|
| 1 | >0.502 | 1.396 |
| 2 | >0.104 | 0.289 |
| 3 | >0.180 | 0.500 |
| 4 | >0.177 | 0.492 |
| 5 | >0.190 | 0.528 |
| 6 | >0.060 | 0.167 |
| 7 | >0.071 | 0.197 |
| 8 | >0.071 | 0.197 |
| 9 | >0.420 | 1.168 |
| 10 | >0.190 | 0.528 |
| 11 | >0.261 | 0.727 |
| 12 | 0.388 | >1.081 |
из задания т.к. разброс 10%
Рассчитаем дисперсию погрешности коэффициента формы резистора
0,00
Определение геометрических размеров пленочных резисторов по точности.
| i |
|
|
| 1 | 0,069 | 0,246 |
| 2 | 0,069 | 0,240 |
| 3 | 0,069 | 0,246 |
| 4 | 0,069 | 0,240 |
| 5 | 0,097 | 0,125 |
| 6 | 0,082 | 0,148 |
| 7 | 0,115 | 0,114 |
| 8 | 0,082 | 0,148 |
| 9 | 0,069 | 0,106 |
| 10 | 0,141 | 0,113 |
| 11 | 0,116 | 0,096 |
| 12 | 0,452 | 0,148 |
Размеры резисторов:
R 1 : b 1 =0,5 мм, l 1 =1,4 мм;
R 2 : b 2 =0,1 мм, l 2 =0,3 мм;
R 3 : b 3 =0,2 мм, l 3 =0,5 мм;
R 4 : b 4 =0,2 мм, l 4 =0,5 мм;
R 5 : b 1 =0,2 мм, l 5 =0,5 мм;
R 6 : b 1 =0,1 мм, l 6 =0,2 мм;
R 7 : b 7 =0,1 мм, l 7 =0,2 мм;
R 8 : b 8 =0,1 мм, l 8 =0,2 мм;
R 9 : b 9 =0,4 мм, l 9 =1,2 мм;
R 10 : b 10 =0,2 мм, l 10 =0,5 мм;
R 11 : b 11 =0,3 мм, l 11 =0,7 мм;
R 12 : b 12 =0,5 мм, l 12 =1,1 мм;
Расчет переходного сопротивления между резистивными и проводящими пленками.
- сопротивление переходного слоя (0,1-2)
= 33,365 Ом
= 166,823 Ом
= 83,412 Ом
= 83,412 Ом
= 83,412 Ом
= 166,823 Ом
= 83,412 Ом
= 83,412 Ом
= 41,706 Ом
= 83,412 Ом
= 55,608 Ом
= 20,853 Ом
Необходимо выполнить условие: 2Rпер<0,1δi
Для выполнения этого условия необходимо изменить bi.
Окончательные размеры резисторов:
R 1 : b 1 =0,5 мм, l 1 =1,4 мм;
R 2 : b 2 =0,2 мм, l 2 =0,4 мм;
R 3 : b 3 =0,2 мм, l 3 =0,5 мм;
R 4 : b 4 =0,2 мм, l 4 =0,5 мм;
R 5 : b 1 =0,5 мм, l 5 =0,5 мм;
R 6 : b 1 =0,4 мм, l 6 =0,3 мм;
R 7 : b 7 =0,6 мм, l 7 =0,2 мм;
R 8 : b 8 =0,4 мм, l 8 =0,3 мм;
R 9 : b 9 =0,4 мм, l 9 =1,2 мм;
R 10 : b 10 =0,8 мм, l 10 =0,5 мм;
R 11 : b 11 =0,6 мм, l 11 =0,7 мм;
R 12 : b 12 =3 мм, l 12 =1,1 мм;
Расчет геометрических размеров пленочных конденсаторов
0.0007
r=0.5
Ai= 
= 
=0,945
Получим расчетное значение Суд
Cуд = 
= 
= 700 пФ/мм2
Исходя из расчетного значения Суд выбираем материал – моноокись кремния, удельная емкость которого 50пФ/мм2
Аi= 
= 
= 3.742 мм
Sci= 
=14 мм2
Расчет и проектирование подстраиваемых резисторов.
Ом
Ом
218,718 
Ом
N= 
= 
= 2,469
n=2 неравномерные секции
Сопротивление i-ой секции
R2= 
*2i = 88,6*22= 354,4 Ом
R1= *2i = 88,6*21= 177,2 Ом
l2=b* 
= 0,2* 
= 0,026мм
l1=b* = 0,2* 
= 0,013мм
= 0.012 мм
Определение размеров подложки
Sподл = (1,5…2)[ 
]
= 6,27 мм2
= 14 мм2
Sподс.рез = (I*a+ 
)*b = (5*0,024+ 0,04)*0,2=0,032мм2
Размер контактной площадки для навесного конденсатора берем многократную
S=2(0,5*0,5)=0,5 мм2
Для пленочного резистора не считаем, так как он входит в коэффициент (1,6…2)
Sподл= 2*(6,27+14+0,032+0,5)=41,6 мм2
Размер подложки выбираем из ряда стандартных подложек, 8*6 мм.
Материал подложки: Ситалл Ст50-1, толщиной 0,5 мм.
Выбираем металлостеклянный корпус 1203 (151.15-4).
Заключение
Гибридная технология микроэлектронных устройств развивается и совершенствуется в направлении создания конструкций, обеспечивающих высокую плотность и точность монтажа полупроводниковых БИС и СБИС и хороший теплоотвод от этих компонентов. Определенные преимущества дает сочетание в одном изделие тонкопленочной и толстопленочной технологии, получившей название дигибридной.
Таким образом, ГИС – широко распространенный, постоянно совершенствующийся, развивающийся конструктивно-технологический вариант изготовления изделий микроэлектроники. Создание ГИС и БГИС – одна из ступеней микроминиатюризации микроэлектронных устройств, комплексов и систем, перспективное направление развития научно-технического прогресса в области микроэлектроники.
В данном курсовом проекте мы разработали согласно схеме электрической принципиальной топологию гибридной интегральной схемы, рассчитали параметры тонкопленочных элементов – длину, ширину резисторов и конденсаторов, согласно рассчитанным параметрам мы выбрали материалы из которых будут изготавливаться наши элементы. По известным данным, параметрам исходных компонент, выбрали корпус для гибридной интегральной схемы.
Список использованной литературы
1. Н.Х. Кутлин, С.Е. Куншин. Информационные технологии проектирования интегральных микросхем. Учебно-методическое пособие. КГТУ им. А.Н. Туполева. Казань, 2008;
2. Под ред. Л.А. Коледова. Конструирование и технология микросхем. Учебное пособие для вузов. Высшая школа. Москва, 1984;
3. Под ред. Н.Н. Горюнова. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник. Энергоатомиздат. Москва, 1985.
Дата: 2019-02-02, просмотров: 236.
