Для проектирования цепи питания транзистора необходимо учесть, что если сопротивление со стороны вывода транзистора, к которому подсоединяется источник питания равно Z, то для того, чтобы источник питания не влиял на значение этого сопротивления, необходимо иметь сопротивление индуктивности X_L хотя бы в 10 раз больше чем |Z| .

       Ёмкость  уменьшает просачивание СВЧ сигнала в цепь питания и излучение во внешнее пространство, а также уменьшает влияние внутреннего сопротивления источника питания и паразитных емкостей на сопротивление, подключенное к выводу транзистора. Сопротивление емкости X_C должно быть в 10 раз меньше, чем . 

       Выполним расчёт цепи питания, подключённой к порту P=1 транзистора, в окне Output Equations (рис. 80).

Рисунок 80. Расчёт цепи питания, подключённой к порту P=1 транзистора в окне Output Equations

       Возьмём элементы номиналами L=1,4 мГн и C=500 пФ, т.к. в дальнейшем эти элементы нужно заменить реальными. Схема цепи питания, подключённой к порту P=1 транзистора, показана на рис. 81.

Рисунок 81. Цепь питания, подключённая к порту P=1 транзистора (Circuit Schematics->UPCHnew->UPCH_Feed)

       Модуль входного сопротивления достаточно велик для такой схемы (рис. 82).

Рисунок 82. Модуль входного сопротивления для цепи питания, подключённой к порту P=1 транзистора (Graphs->UPCH_Feed_ZIN)

       Выполним расчёт цепи питания, подключённой к порту P=2 транзистора, в окне Output Equations (рис. 83).

Рисунок 83. Расчёт цепи питания, подключённой к порту P=2 транзистора в окне Output Equations

       Возьмём элементы номиналами L=1,3 мГн и C=500 пФ, т.к. в дальнейшем эти элементы нужно заменить реальными. Схема цепи питания, подключённой к порту P=2 транзистора, показана на рис. 84.

Рисунок 84. Цепь питания, подключённая к порту P=2 транзистора (Circuit Schematics->UPCHnew->UPCH_Feed_2)

       Модуль входного сопротивления также достаточно велик для такой схемы (рис. 85).

Рисунок 85. Модуль входного сопротивления для цепи питания, подключённой к порту P=2 транзистора (Graphs->UPCH_Feed_2_ZIN)

Расчёт разделительных конденсаторов.

Как и при расчёте МШУ, оценим номиналы разделительных конденсаторов по следующей формуле:

       Расчёт проводился в окне Output Equations (рис. 86).

Рисунок 86. Расчёт номинала разделительного конденсатора в окне Output Equations

       Таким образом, значение разделительных емкостей должно быть не менее 530 пФ.

Сборка УПЧ.

       Описав все блоки, соберём схему двухкаскадного УПЧ на идеальных элементах (рис. 87).

Рисунок 87. Схема двухкаскадного УПЧ с СЦ и ЦПП на идеальных элементах (Circuit Schematics->UPCHnew)

       Фактический коэффициент усиления соответствует соединению двух каскадов усилителей (рис. 88).

Рисунок 88. Фактический коэффициент усиления двухкаскадного УПЧ на идеальных элементах (Graphs->UPCH_GP)

       Для получения требуемых в ТЗ характеристик была применена процедура параметрической оптимизации, цели которой представлены на рисунке 89. В качестве параметров оптимизации были выбраны элементы СЦ и разделительные конденсаторы.

Рисунок 89. Цели параметрической оптимизации для УПЧ

       Полученные характеристики УПЧ после процедуры параметрической оптимизации показаны на рис. 90 и 91. Они соответствуют ТЗ. При этом значения элементов на схеме Circuit Schematics-> UPCHnew-> UPCH_ Match: C=513,6 пФ, L=113,7 нГн.

Рисунок 90. Фактический коэффициент усиления двухкаскадного УПЧ на идеальных элементах в полосе 50-80 МГц (Graphs->UPCH_GP)

Рисунок 91. Геометрические коэффициенты устойчивости для двухкаскадного УПЧ на идеальных элементах в полосе 50-80 МГц (Grpahs->UPCH_MU1_MU2)