Простейший однополупериодный выпрямитель
Поможем в ✍️ написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

Простейший однополупериодный выпрямитель (рис. 6.4) состоит из последовательно включенных источника напряжения, диода и активного сопротивления. Переменное синусоидальное напряжение U2. подают на диод Д. За счет односторонней проводимости диодов ток i протекает только в положительные периоды напряжения U2, и, следовательно имеет импульсную форму. Постоянная составляющая этого тока Io определяется средним значением тока i, протекающего через нагрузку RH за полупериод.

Рис. 6.4. Схема однополупериодного выпрямителя (а) Кривые тока и напряжения (б)

При отрицательной полярности диод закрыт и ток не проходит. Среднее значение выпрямленного тока Io (постоянная составляющая пульсирующего тока) (рис. 6.4б)

Io = Im/ p = 0,32 Im, a U o = 0,32 U2m среднее значение выпрямленного напряжения.

Важнейшим параметром, характеризующим работу выпрямителя является коэффициент пульсации, где кп = Uoг.м/U o, Uoг.м - амплитуда основной гармонической составляющей, - среднее значение выпрямленного напряжения.

Для однополупериодной схемы выпрямления кп = 1,57. Кп для данной схемы велик, что является главным недостатком схемы.

Тиристор

Тиристор - полупроводниковый прибор с тремя (или более) р-п переходами, используемый для переключения. Два крайних слоя p1 и п2 -эмиттеры: п2 - катод; p1 - анод. Два средних слоя (n1 и р2) -базы. Электрод, которому приложено напряжение управления, называется управляющим, (рис. 6.5а). Питающие напряжение подается на тиристор так, что переходы П1 и П3 будут открытыми, а П2 - закрытый. Сопротивление П1 и П3 - мало, а П2 - велико, поэтому почти все питающее напряжение оказывается приложенным к переходу П2. Ток тиристора мал. При повышении Unp (при увеличении ЭДС источника питания Е) ток тиристора мало увеличивается.

Рис. 6.5. Структура тиристора (а).

Вольт-амперная характеристика тиристора (б)

При достижении Unp = Uвкл происходит лавинное увеличение носителей заряда в переходе П2 за счет дырок и электронов, прибывших из слоев n2 и p1 в базы п1 и р2. Ток в тиристоре возрастает. Происходит пробой промежутка перехода П2. После пробоя напряжение снижается до Unp = 0,5 ¸IB. При дальнейшем увеличении ЭДС Е, ток нарастает в соответствии с вертикальным участком характеристики. Напряжение Uвкл, при котором происходит лавинообразное нарастание тока, снижают за счет введения неосновных носителей в слой р2. С увеличением управляющего тока увеличивается число добавочных носителей заряда, напряжения пробоя уменьшается (рис. 6.5 б).

Поэтому важным параметром тиристора является отпирающий ток управления - ток управляющего электрода, обеспечивающий переключение тиристора в открытое состояние.

При изменении полярности напряжения Е на обратную переходы П1 и П3, смещены в обратном направлении, и вольт-амперная характеристика не отличается от обратной ветви характеристики диода. Тиристоры, как управляемые переключатели, обладающие выпрямительными свойствами, нашли применение в управляемых выпрямителях.

Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор представляет собой трехслойную структуру из чередующихся полупроводников р – и п - типа (рис. 6.6)

Рис. 6.6 Устройство, обозначение биполярных транзисторов р-п-р (а) и п-р-п (б) типов и полярности напряжения на коллекторе относительно эмиттера

Слои и присоединенные к ним выводы имеют названия: эмиттер (Э), база (Б) и коллектор (К). В транзисторе создается два р-п- перехода (рис.6.6): база-эмиттер ПБЭ и база-коллектор ПБК. В режиме усиления к эмиттерному переходу ПБЭ. прикладывается прямое напряжение UБЭ, а к коллекторному переходу ПБК - обратное напряжение U.

Рис. 6.7 Движение зарядов в транзисторе р-п-р- типа.

Рассмотрим принцип действия на примере р-п-р- транзистора (рис.6.7) Через открытий эмиттерный переход ПБЭ источником UБЭ создается прямой ток образуемый инжекцией (движением) как дырок 1 ¸5, так и электронов 6. Дырки 1 ¸5, пройдя открытый переход ПБЭ, попадают в область базы, где их дальнейшее движение осуществляется по двум направлениям. Первое направление образуют дырки типа 5, которые встречаются в базе с электронами 6 и, рекомбинируя с ними, образуют нейтральные атомы 7. Так как в рекомбинации участвуют электроны 6, поступающие на базу от источника UБЭ, то за счет рекомбинации создается ток базы IБ. Второе направление образуют непрорекомбинировавшие дырки 1 ¸4, которые достигают границы коллекторного перехода ПБ K и, подхваченные ускоряющим полем ЕБК этого перехода, проходят в коллектор и образуют эмиттерную составляющую a IЭ тока коллектора IK. Причем эта составляющая меньше тока эмиттера (a < 1) на величину тока базы 1Б. Так как рекомбинация дырок в базе, осуществимая в результате встречи их с электронами базы маловероятна из-за малой толщины базы и малой концентрации электронов в ней, то подавляющая часть дырок достигает коллектора. Значит эмиттерная составляющая тока коллектора практически равна прямому току эмиттерного перехода. Кроме тока a IЭ через коллекторный переход течет обратный ток Iк.об p, вызванный в нем источником UКБ, который включен к переходу в обратном направлении. Так как обратный ток на 3-5 порядка меньше прямого тока, то в режиме инжекции ток коллектора IK практически равен a IЭ. А при отсутствии инжекции, когда IБ = 0, ток коллектора IK уменьшается в 103 ¸ 105 раз и становится равным току Iк.об p- Причем, так как указанное изменение тока коллектора IK происходит при одном и том же напряжении на коллекторе U, то это эквивалентно изменению сопротивления коллекторного перехода в103 ¸ 105 раз.

Из приведенного описания видно, что назначение базы состоит в том что база вызывает из эмиттера на себя поток .зарядов, которые с приобретенной при этом скоростью проходят через базу, как через сито и достигают коллектора. Причем, так как ток базы IБ мал. то, очевидно, и мощность источника UБЭ, используемая для управления токами IБ, IЭ и IK, также мала. Таким образом, биполярный транзистор управляется током, подводимым к базе. Основными параметрами транзистора являются коэффициента передачи тока эмиттера a и базы b:

     (6.1)

 

Коэффициент b называют коэффициентом усиления транзистора по току. Характерные значения напряжений UБЭ и UK для биполярных транзисторов составляют UБЭ ≤ 0,3 ¸ 0,7 В и UK = 3 ¸ 500 В.

Полевые транзисторы

Полевой транзистор представляет собой двухслойную структуру (рис. 6.8), конструктивно выполненную в виде центрального полупроводника - канала - одной проводимости, окруженного полностью или частично полупроводником другой проводимости (затвора). Особенностью полевого транзистора является то, что концентрация примесей в затворе намного превышает концентрацию примесей в канале. Три вывода транзистора имеют названия: исток (И), сток (С) и затвор (З).

Принцип действия полевого транзистора основан на изменении площади поперечного сечения канала и, следовательно, сопротивления канала под действием поперечного электрического поля Е3, создаваемого приложенным к затвору напряжением (рис.6.9). Рассмотрим физические процессы, приводящие к сужению канала под действием приложенных напряжений ЕЗИ и ЕСИ. Если к транзистору приложено только напряжение ЕЗИ (рис.6.9 а), которое для р-п- перехода затвор - канал является обратным, то под действием поперечного поля ЕЗ расширяется запирающий слой.

Рис. 6.8 Устройство и обозначение полевого транзистора с затвором в виде р-п- перехода с каналом п-типа (а) и р-типа (б) и полярности напряжения на затворе и стоке относительно истока

Так как концентрация примесей в канале меньше, чем в затворе, то расширение запирающего слоя происходит практически за счет канала, причем одинаково по всей длине канала. При некотором напряжении UЗИ, называемом напряжением отсечки U OTC. канал полностью перекрывается.

Рис. 6.9 Изменение сечения канала p-типа при действии

напряжений UЗИ -.(a), UСИ (б) и одновременно UЗИ и UСИ (в); запирающий слой обозначен точками.

Таким образом, полевой транзистор - это прибор, в котором входным управляющим сигналом является напряжение затвора UЗИ, выходным сопротивление канала или ток стока I. Так как UЗИ является для р-п- перехода затвор-канал является обратным, то ток затвора ничтожно мал и на 5 ¸ 6 порядков меньше тока базы биполярного транзистора и составляет 0,01 ¸ 0,0001 мкА. Сопоставляя биполярный (БТ) и полевой (ПТ) транзисторы отметим два принципиальных отличия:

1) БТ управляется током (базы), а ПТ- напряжением (затвор);

2) при увеличении входного сигнала выходной сигнал ток у БТ

возрастает, у ПТ уменьшается.

Дата: 2018-11-18, просмотров: 424.