Четырехслойное просветляющее покрытие
Поможем в ✍️ написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

Рис. 1.10

 

 

 

  (1.14)

 

 

Из таблицы плёнкообразующих материалов выбираем материал с наиболее близким показателем преломления для заданного диапазона    λ1–λ2=400 – 1200 нм.

 

Таблица 1.10

Пленкообразующий материал Температура tпл/tус,°С Методы нанесения Показатель преломления Область спектра λ1–λ2, мкм
Фтористый церий CeF3 1 460 800 И, ИЭ 1,63 0,3–5

 

 

 

Минимальный коэффициент отражения рассчитываем по формуле (1.11):

 

(1.11)  

 

 

 

Для определения амплитудных и энергетических коэффициентов отражения системы воздух – пленки – подложка воспользуемся формулами (1.5) – (1.8):

 

 

 

 

 

 

 

 ,

 ,

 ,

.

 

 

Для построения спектральной характеристики R 1,6 = f ( β ) и R 1,6 = f ( λ ) составим таблицы 1.5 и 1.6:

Таблица 1.11

0 λ0/4 λ0/2 0/4 λ0
0 π/2 π 3π/2
1 -1 1 -1 1
0,057 0,014 0,057 0,014 0,057
-0,021 0,005 -0,021 0,005 -0,021
-0,062 -0,034 -0,062 -0,034 -0,062
-0,219 -0,127 -0,219 -0,127 -0,219
0,048 0,016 0,048 0,016 0,048
0,952 0,9984 0,952 0,9984 0,952

 

Рис. 1.11

 

Таблица 1.12

λ,нм 400 480 500 600 700 800 900 1000 1100 1200
1,855 1,57 1,508 1,257 1,077 0,942 0,838 0,754 0,685 0,628
-0,809 -1 -0,992 -0,809 -0,551 -0,309 -0,105 0,063 0,199 0,309
0,018 0,014 0,014 0,018 0,024 0,029 0,033 0,037 0,04 0,042
-0,05 -0,05 -0,05 -0,05 -0,049 -0,044 -0,039 -0,033 -0,028 -0,023
-0,043 -0,034 -0,034 -0,043 -0,056 -0,069 -0,079 -0,085 -0,089 -0,09
-0,126 -0,0128 -0,127 -0,126 -0,129 -0,139 -0,152 -0,165 -0,177 -0,187
0,016 0,016 0,016 0,016 0,017 0,019 0,023 0,027 0,031 0,035
0,984 0,984 0,984 0,984 0,983 0,981 0,977 0,973 0,969 0,965

 

Рис. 1.12

 

Анализ результатов

Для выбора оптимальной конструкции просветляющего покрытия построим графии спектральных зависимостей R = f (λ)для всех типов покрытий в одной системе координат.

Рис. 1.13

Оптимальной является та конструкция, которая обеспечивает минимальный коэффициент отражения на рабочей длине волны λ 0 =480 нм и более широкую зону просветления в заданной области спектра.

Таким образом, оптимальным является трехслойное оптическое покрытие.

Построим графики R = f (λ) для трехслойного покрытия смоделированный и теоретический:

 

Рис. 1.14

 

Обозначим выбранную конструкцию просветляющего покрытия:

 

ВД  37ИЭ 96ИЭ 24ИЭ 300  по ОСТ 3-1901-95

λ0=480 20 нм;

ρ min = 0,0002

λ1–λ2=400–1200 нм;

Материал подложки: стекло БК13 ГОСТ 3514-92;

ne = 1,5617.

 

Вакуумная установка для нанесений покрытий ВУ–1А.

Для данной конструкции просветляющего покрытия составим технологический процесс.

 

Технологический процесс

010 Очистка подложек

020 Подготовка вакуумной камеры

030 Ионная очистка подложек

040 Нагрев подложек до фиксированной температуры

050 Нанесение оптического покрытия

051 Нанесение оптического покрытия PbF2

052 Нанесение оптического покрытия CeF3

053 Нанесение оптического покрытия MgF2

060 Разгерметизация вакуумной, камеры выгрузка готовых изделий

070 Контроль оптических параметров покрытий

Содержание операций:

Очистка подложек

Подложки из стекла БК – 13 ГОСТ 3514-76 обезжиривают в смеси петролейного эфира и этилового спирта в соотношении 75% - 25% и окончательно протирают тампонами обезжиренной ваты, смоченной в абсолютном этиловом спирте. Очищенные детали протирают обезжиренными батистовыми салфетками. Готовые детали вставляют в съемные оправы подложкодержателя и с их поверхностей беличьей кисточкой удаляются ворсинки. Очищенные детали в оправах загружают в подложкодержатель, и подложкодержатель устанавливается в вакуумную камеру. При выполнении этой операции оператор должен работать в резиновых перчатках или напальчниках.

020 Подготовка вакуумной камеры (происходит параллельно с операцией 010)

· очистка элементов подколпачной аппаратуры (экранов, испарителей, заслонов) от пленок испаряемых материалов и пропитку их спиртом

· загрузка исходных пленкообразующих материалов в испарители
(MgF2, CeF3 и PbF2 в виде таблеток в 3х позиционный тигель электронно-
лучевого испарителя - ЭЛИ)

· загрузка подложкодержателя с очищенными оптическими деталями

· проверка работоспособности механизмов и устройств вакуумной камеры; вращение подложкодержателя, перемещение заслонок, работа фотометра

· откачка камеры до давления примерно 2 Па.



Ионная очистка подложек

Операция проводится в камере (P=2...1,38 Па) в течение 5–10 минут при напряжении 500 В на электроде ионной очистки и токе разряда 150–200 мА. При этом включается вращение подложкодержателя с частотой n =10–20 мин-1. В процессе ионной очистки ионами остаточных газов с поверхности удаляются пылинки и молекулы тяжелых газов. По окончании ионной очистки камера откачивается до Р =10-2 –10-3 Па.

Дата: 2018-12-21, просмотров: 335.