Выбор электрорадиоэлементов
При анализе принципиальной электрической схемы весь перечень элементов можно разбить на две группы:
1. Элементы, жестко регламентированные схемой (указаны их уникальные индексы). Такие как, транзисторы КТ361Б, КТ315Б; диод КД102Б; светодиод L-934SRC-E; звукоизлучатель HPM14AX и стабилитрон КС213В.
2. Элементы, регламентированные по основному параметру (указано соответствующее номинальное значение этой величины). Предоставляется возможность самому подобрать тип данного элемента.
Таким образом, при выборе элементной базы будем придерживаться того, что:
1. Компоненты должны обладать указанными в схеме характеристиками;
2. Номенклатура используемых типов корпусов должна быть по возможности сужена для повышения технологичности конструкции печатного узла.
Необходимо применять в первую очередь стандартные и унифицированные элементы, а также другие изделия массового или серийного производства. Стандартные элементы выбираются по данным официальных справочников.
Выбор ЭРЭ производится путем сопоставления технических условий на них с условиями применения элементов в изделии. При выборе элементов следует придерживаться предельных значений параметров окружающей среды.
При предельных температурах не должны происходить необратимые изменения параметров элементов, а также сами материалы ЭРЭ не должны разрушаться. Выбор ЭРЭ зависит также от принятого вида монтажа.
Кроме того, тенденция развития современного приборостроения в России показывает, что как в новых разработках, так и в серийном производстве все шире используются электронные компоненты (электрорадиоизделия и детали аппаратуры) зарубежных производителей. Объективными причинами такого явления послужили резкое сокращение объемов выпуска отечественных ЭРЭ, практическая остановка большинства их производителей, а также отсутствие в последние годы новых разработок элементной базы. Все это на фоне бурного прогресса мировой электронной индустрии привело к отставанию отечественных ЭРЭ от зарубежных на 10–15 лет как по техническому уровню, так и по технико-экономическим показателям. В результате ряд групп современных электрорадиоизделий отечественной промышленностью практически не выпускаются, а те ЭРЭ, что выпускаются, порой значительно дороже зарубежных аналогов. Так, например, зарубежные конденсаторы с оксидным диэлектриком примерно втрое дешевле отечественных аналогов при выигрыше в массогабаритных параметрах.
Все вышеизложенное, а также фактическое разрешение с ноября 1997 г. импортной комплектации отечественной аппаратуры специального назначения, дали серьезный импульс отечественным предприятиям на использование импортных ЭРЭ.
С учетом всего вышесказанного и руководствуясь схемой электрической принципиальной выберем следующие ЭРЭ:
1. В качестве постоянных резисторов выберем резисторы с корпусом
С1–4 (R2, R3, R4, R5, R6, R7).
Рис. 1. Постоянный резистор С1–4
Таблица 1. Характеристики резистора С1–4
Номинальная мощность, Вт (при ) | Диапазон номинальных сопротивлений | Ряд промежуточных значений, допуск | Диаметр, мм | Длина, мм |
0,125 (85) | 1 Ом… 3 МОм | Е24, Е96 +1;+2; +5; + 10% | 5,5 | 16 |
2. Для резистора R1 выберем резисторы с корпусом С2–33Н.
Рис. 2. Постоянный резистор С2–33Н
Таблица 2. Характеристики резистора С2–33Н
Номинальная мощность, Вт (при ) | Диапазон номинальных сопротивлений | Ряд промежуточных значений, допуск | Диаметр, мм | Длина, мм |
0,5 (70) | 10Ом… 10МОм | Е24, Е48 +2; +5; + 10 | 2,2 | 6 |
3. Полярные конденсаторы К50–12 (С1, С2, С3).
Рис. 3. Полярный конденсатор К50–12
Таблица 3. Характеристики полярного конденсатора К50–12
Номинальное напряжение, В | Диапазон номинальных емкостей, мкФ | Диаметр, мм | Длина, мм | Диаметр вывода, мм |
25 | 2–5000 | 4,5–32 | 14–85 | 0,9 |
4. Диод КД102Б (VD1).
Рис. 4. Диод КД102Б
Таблица 4. Характеристики диода КД102Б
Uоб/Uимп В/В | Iпр/Iимп А/А | Uпр/Iпр В/А | Cд/Uд пф/В | Io(25) Ioм мкА/мкА | Fmax кГц | P Вт |
300/300 | 0.1/2 | 1.0/0.05 | 3/50 | 4 |
5. Светодиод L-934SRC-E (HL1).
Рис. 5. Светодиод L-934SRC-E
Таблица 5. Характеристики светодиода L-934SRC-E КД102Б
6. Стабилитрон КС213В(VD2).
Рис. 6. Стабилитрон КС213В
Таблица 6. Характеристики cтабилитрона КС213В
Uст/Iст В/мА | Ic1-Ic2 мА-мА | Rст/Iст Ом/мА | Rст/Iст Ом/мА | Pм мВт | TKU (мВ/C) 1/10000*C | dUст %(В) |
13/5 | 3–10 | 45/3 | 25/5 | 300 | -8;+8 | (1.0) |
7. Транзисторы КТ315Б (VT1, VT3)
Рис. 7. Транзистор КТ315Б
Таблица 7. Характеристики транзистора КТ315Б
Материал | Проводимость | Uкб0 (и) В | Uкэ0 (и) В | Iкмакс (и) мА | Ркмакс мВт | h21э | Iкб0 мкА | frp, МГц |
Кремний | n-p-n | 20 | 20 | 100 | 0,15 | 50–350 | ≤0,5 | 250 |
8. Транзистор КТ361Б (VT2)
Рис. 8. Транзистор КТ361Б
Таблица 8. Характеристики транзистора КТ361Б
Материал | Проводимость | Uкб0 (и) В | Uкэ0 (и) В | Iкмакс (и) мА | Ркмакс мВт | h21э | Iкб0 мкА | frp, МГц |
Кремний | р-п-р | 20 | 20 | 100 | 0,15 | 50–350 | ≤1 | 250 |
9. Звукоизлучатель HPM14AX
Таблица 9. Характеристики звукоизлучателя HPM14AX
Рис. 9. Звукоизлучатель HPM14AX
Дата: 2019-07-30, просмотров: 223.