Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, второй (буква) – подкласс приборов, третий (цифра) – основные функциональные возможности прибора, четвертый – число, обозначающее порядковый номер разработки, пятый элемент – буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.

  Для обозначения исходного полупроводникового материала используются следующие символы:

  Г, или 1 – германий или его соединения;

  К, или 2 – кремний или его соединения;

  А, или 3 – соединения галлия;

  И, или 4 – соединения индия.

  Для обозначения подклассов диодов используется одна из следующих букв:

  Д – диоды выпрямительные и импульсные;

  Ц – выпрямительные столбы и блоки;

  В – варикапы;

  И – туннельные диоды;

  А – сверхвысокочастотные диоды;

  С – стабилитроны;

  Г – генераторы шума;

  Л – излучающие оптоэлектронные приборы;

  О – оптопары.

  Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков приборов (их функциональных возможностей) используются следующие цифры.

  Диоды (подкласс Д):

  1 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого 

       тока не более 0,3 А;

  2 – выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого

       тока более 0,3 А, но не свыше 10 А;

  4 – импульсные диоды с временем восстановления обратного

       сопротивления более 500 нс;

  5 – импульсные диоды с временем восстановления более 150 нс, но не

       свыше 500 нс;

  6 – импульсные диоды с временем восстановления 30…150 нс;

  7 – импульсные диоды с временем восстановления 5…30 нс;

  8 – импульсные диоды с временем восстановления 1…5 нс;

  9 – импульсные диоды с эффективным временем жизни неосновных        носителей заряда менее 1 нс.

  Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):

  1 – столбы с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;

  2 – столбы с постоянным или средним значением прямого тока 0,3…10 А;

  3 – блоки с постоянным или средним значением прямого тока 0,3 А;

  4 – блоки с постоянным или средним значением прямого тока 0,3…10 А.

  Варикапы (подкласс В):

    1 – подстроечные варикапы;

  2 – умножительные варикапы;

  Туннельные диоды (подкласс И):

  1 – усилительные туннельные диоды;

  2 – генераторные туннельные диоды;

  3 – переключательные туннельные диоды;

  4 – обращенные диоды.

  Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А):

  1 – смесительные диоды;

  2 – детекторные диоды;

  3 – усилительные диоды;

  4 – параметрические диоды;

  5 – переключательные и ограничительные диоды;

  6 – умножительные и надстроечные диоды;

  7 – генераторные диоды;

  8 – импульсные диоды.

  Стабилитроны (подкласс С):

  1 – стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным

        напряжением стабилизации менее 10 В;

  2 – стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным

        напряжением стабилизации 10…100 В;

  3 – стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным

        напряжением стабилизации более 100 В;

  4 – стабилитроны мощностью не более 0,3…5 Вт с номинальным

        напряжением стабилизации менее 10 В;

  5 - стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным

        напряжением стабилизации 10…100 В;

  6 - стабилитроны мощностью 0,3…5 Вт с номинальным

        напряжением стабилизации более 100 В;

  7 – стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным

        напряжением стабилизации менее 10 В;

  8 – стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным

        напряжением стабилизации 10…100 В;

  9 – стабилитроны мощностью 5…10 Вт с номинальным

        напряжением стабилизации более 100 В.

  Генераторы шума (подкласс Г):

  1 – низкочастотные генераторы шума;

  2 – высокочастотные генераторы шума.

Примеры обозначения приборов:

  2Д204В – кремниевый выпрямительный диод с постоянным и средним значением тока 0,3…10 А, номер разработки 04, группа В.

  КС620А – кремниевый стабилитрон мощностью 0,5…5 Вт, с номинальным напряжением стабилизации более 100 В, номер разработки 20, группа А.

  ЗИ309Ж – арсенидогаллиевый переключательный туннельный диод, номер разработки 09, группа Ж.

Система обозначений. Условное обозначение интегральных микросхем включает в себя основные классификационные признаки. Оно состоит из четырех элементов.

  Первый элемент – цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе. Цифрами 1, 5, 6 и 7 в первом элементе обозначаются полупроводниковые интегральные микросхемы. Гибридным микросхемам присвоены цифры 2, 4 и 8. Пленочные, вакуумные и керамические интегральные микросхемы обозначаются цифрой 3.

  Второй элемент, определяющий порядковый номер разработки серии, состоит из двух (от 00 до 99) или трех (от 000 до 999) цифр.

  Третий элемент, обозначающий подгруппу и вид микросхемы, состоит из двух букв (см. таблицу).

  Четвертый элемент, обозначающий порядковый номер разработки микросхемы данной серии, состоит из одной или нескольких цифр.

  К этим основным элементам обозначений микросхем могут добавляться и другие классификационные признаки.

  Дополнительная буква в начале четырехэлементного обозначения указывает на особенность конструктивного исполнения:

  Р – пластмассовый корпус типа ДИП;

  А – пластмассовый планарный корпус;

  Е – металлокерамический корпус типа ДИП;

  С – стеклокерамический корпус типа ДИП;

  И – стеклокерамический планарный корпус;

  Н – керамический «безвыводной» корпус.

  Серии бескорпусных полупроводниковых микросхем начинаются с цифры 7, а бескорпусные аналоги корпусных микросхем обозначаются буквой Б перед указанием серии.

  Через дефис после обозначения указывается цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения:

1 – с гибкими выводами; 2 – с ленточными (паучковыми) выводами, в том числе на полиамидном носителе; 3 – с жесткими выводами; 4 – на общей пластине (неразделенные); 5 – разделенные без потери ориентировки (наклеенные на пленку); 6 – с контактными площадками без выводов.