Также нам необходима микросхема стабилизации напряжения. Выполним сравнение микросхем и осуществим выбор наиболее подходящих для наших условий. К рассмотрению приняты такие параметры как:
- максимальный выходной ток ток;
- максимальное напряжение питания.
- отклонение выходного напряжения он номинального
- количество выовдов
Параметры этих микросхем приведены в таблице 4.4.
Таблица 4.4
Параметры выбираемых микросхем.
| Стабилизатор напряжения | Параметры | |||
| Количество выводов, N | Макс выходной ток Io/А | Макс напряжение питания Uo/В | Макс отклонение Uвых/В | |
| К1156ЕК5А | 5 | 3 | 40 | 0.2 |
| LM7805 | 3 | 1 | 20 | 0.25 |
| LM2596 | 5 | 3 | 40 | 0.25 |
| Весовой коэффициент bi | 0,1 | 0,3 | 0,3 | 0,3 |
При составлении таблицы использовались источники [3,4].
Наша задача выбрать одну из этих микросхем, причем наиболее нам подходящую. Для этого воспользуемся методом выбора элементов по матрице параметров. Запишем матрицу параметров:
Параметры в матрице X должны соответствовать такому виду, чтобы большему значению параметра соответствовало лучшее качество ИС. Параметры, не удовлетворяющие такому условию (N, Uвых,) пересчитываются по такой формуле:
, (4.1)
Пересчитав эти параметры, получаем такую матрицу Y:
После этого параметры матрицы Y нормируют по такой формуле:
, (4.2)
В результате нормирования получим матрицу A (в ней есть обязательно хотя бы один нуль).
Матрица А имеет такой вид:
Для обобщенного анализа системы параметров элементов вводят оценочную функцию:
, (4.3)
при этом 
(см. таблицу ).
Определим эти оценочные функции (приведем их в матричном виде):
По полученным значениям оценочной функции можно сказать, что стабилизатор напряжения К1156ЕК5А наилучший из всех рассматриваемых (ему соответствует минимальное значение оценочной функции). Его и будем применять в качестве элемента схемы.
Остальные элементы принципиальной схемы выбираются аналогичным образом.
Выбор микросхемы памяти
Микросхема памяти должна обладать следующими характеристиками:
- иметь емкость для записи 30с видео материала с частотой кадров 25к/с, и разрешением 640 х 480 точек.
- иметь возможность циклической записи.
Таким требованиям отвечают микросхемы NAND Flash-памяти. Эти микросхемы имеют странично-блочную организацию и последовательный доступ к данным в пределах одной страницы. Такая организация больше всего подходит для хранения больших массивов данных, тем более что объем памяти этих микросхем достигает 8 Гбит (1 ГБайт). На основе этих микросхем построены все известные карты памяти. Объем памяти на один видео канал разрабатываемого устройства высчитывается по формуле
где:
Sкадра – размер кадра;
Iцветн – количество бит цветности;
Nк/с – количество кадров в секунду;
t – общие время записи;
Y ≈ 230 Мбайт
Наиболее распространенные микросхем емкостью 2Гбита, (256Мбайт) производят фирмы Samsung и Hynix. Samsung микросхема К9F2G08U0A, и Hynix-микросхема HY27UF082G2M. Обе микросхемы являются абсолютно идентичными по своим характеристикам, поэтому выбираем микросхему с наиболее приемлемой ценой фирмы Hynix.
Дата: 2019-07-24, просмотров: 219.
