Определяю критические значения затухания контура
Поможем в ✍️ написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

 

,

,

где dK - конструктивное затухание контура, для частоты 30МГц dK=0,01,C11 - входная ёмкость каскада следующая за смесителем, C11=2пФ,

 

C22 -выходная ёмкость полевого транзистора, C22=1,4пФ,

g11 - входная проводимость каскада следующая за смесителем, g11=2,25×10-3,g22ПР - выходная проводимость полевого транзистора при преобразовании.

 

,

.

 

4.4.3 Сравниваю полученное ранее при предварительном расчёте эквивалентное затухание контуров dЭК с найденными значениями критического затухания

 

dЭК=0,01257,d'=0,047,d"=0,392.

 

Очевидно, что dЭК<d' - режим максимального усиления обеспечивается без ограничений.

 

Коэффициент включения в базовую цепь следующего транзистора

 

,

.

 

Коэффициент включения контура в коллекторную цепь принимают равным единице (полное включение контура в цепь коллектора):

 

m1=1.



Эквивалентная ёмкость первого и второго контура

 

,

.

 

Резонансный коэффициент усиления отдельного каскада

 

,

.

 

Коэффициент усиления не превышает значения устойчивого усиления:

 

K01<KУСТ.

 

Мкость первого контура

 

,

.

 

Принимаю ёмкость первого контура СК1 равной 160пФ по шкале Е24.

 

Мкость второго контура СК21

 

,

.

 

Принимаю ёмкость второго контура СК21 равной 180пФ по шкале Е24.

 

Мкость второго контура СК22

 

,

.

 

Принимаю ёмкость второго контура СК22 равной 1200пФ по шкале Е24.

 

Индуктивности контуров

 

,

где СК=СК2=СК2=160пФ.

 

.

 

Коэффициент связи между контурами при критической связи

 

k=dЭК,

k=0,01257.

 



Мкость конденсатора внешнеемкостной связи

 

ССВ=k×СК,

ССВ=0,01257×160=2,01пФ.

 

Принимаю номинал ёмкости конденсатора связи по шкале Е24 равным 2пФ.

 

4.5 Найду требования к колебанию гетеродина

 

Нагрузкой транзистора является колебательный контур. Резонансная проводимость контура

 

,

.

 

Колебания гетеродина подаются в цепь истока транзистора, следовательно, со стороны гетеродина транзистор включен по схеме с общим затвором (ОЗ)

Входная проводимость усилительного каскада с ОЗ:

 

,

где g11C - входная проводимость по схеме ОИ на частоте сигнала,

g22C. - выходная проводимость транзистора в схеме с ОИ.


.

 


Мощность колебаний гетеродина

 

,

.

 

Расчёт смесителя по постоянному току

 

Резистор температурной стабилизации в цепи истока

 

,

где IИ0 - ток истока в рабочей точке, IИ0≈IC0+UЗ-И×g11C=10×10-3+3×2,84×10-3=1,85×10-2А=18,5мА.

 

 

Сопротивление RИ принимаю номиналом 68Ом по шкале Е24.

Напряжение на резисторе RИ:

 

UИ=IИ0×RИ,

UИ=1,85×10-2×68=1,26В.

 



Дата: 2019-05-28, просмотров: 218.