Физико-химические основы получения металлических и токопроводящих пленок электронно-лучевым и магнетронным напылением
Поможем в ✍️ написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

Технологическим процессом, позволяющим напылять любые металлы, является метод электронно-лучевого испарения, в котором нагрев и испарение нагреваемого металла обеспечивается его облучением электронным пучком.

1. Корпус

2. Опорная плита

3. Электронная пушка

4. Откачивающее устройство

5. Держатель напыляемого металла

6. Напыляемый металл

7. Пары металла

8. Пластинодержатель

9. Нагреватель пластинодержателя

10. Полупроводниковая пластина

11. Металлическая маска

12. Электромагнитный затвор

13. Электронный луч

14. Электромагнитная линза

Ионно-плазменное распыление


1. Основание установки

2. Система постоянных магнитов

3. Катод (представляет собой мишень из напыляемого металла)

4. Анод

5. Распыляемый металл

6. Пластинодержатель

7. Полупроводниковые пластины

Между анодом 4 и катодом 3 в рабочем состоянии горит плазма. Электроны, присутствующие в плазме, захватываются магнитным полем и начинают двигаться по сложной спиралеобразной траектории вблизи поверхности мишени, тем самым многократно увеличивая плотность плазмы. В результате эффективность распыления металла может возрастать в десятки раз.


13.Физико-химические основы литографии.

Литографией называется процесс переноса топологического рисунка на поверхность полупроводниковой пластины. В основе литографического процесса лежит использование специальных материалов, чувствительных к различным излучениям. Такие материалы получили название резисты. Различают фотолитографию, рентгеновскую литографию и электронную литографию. В настоящее время доминирует фотолитография. Основные этапы фотолитографического процесса

 В технологии микро- и наноэлектроники в основном различают разрешающую способность по проявленному резисту и разрешающую способность по протравливанию элемента. В микро- и наноэлектронике могут использоваться два типа фоторезиста: позитивный и негативный. Все фоторезисты, как правило, являются тонкими полимерными пленками (от 0,2 до 2 мкм). В позитивных фоторезистах под действием ультрафиолетового облучения в полимерной пленке происходит фотохимические реакции, приводящие к разрушению объемного строения молекул. В негативных фоторезистах под действием ультрафиолетового облучения наоборот, молекулы перестраиваются в объемную структуру

 

В отечественной промышленности фоторезисты, как правило, имеют следующую маркировку. Например, ФН-102 (фоторезист негативный), ФП-383 (фоторезист позитивный). Цифра, стоящая после букв, характеризует конкретные технические параметры данного фотрезиста.



Дата: 2019-03-05, просмотров: 234.