Определяем параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора, которая представлена на рис. 4.

Рис. 4. Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиаколетто)

Вычисляем параметры схемы Джиаколетто, воспользовавшись следующими соотношениями:

  - барьерная емкость коллекторного перехода; , Из ряда номинальных значений выбираем

     - выходное сопротивление транзистора;  - сопротивление коллекторного перехода;

 - сопротивление эмиттерного перехода по эмиттерному току;

  - сопротивление эмиттерного перехода базовому току;

  - распределенное сопротивление базы,

где t_ОС – постоянная времени обратной связи транзистора;

- диффузионная емкость эмиттерного перехода,

где ¦_Т – граничная частота транзистора;

- собственная постоянная времени

транзистора; t = 0,015 (нс)

- крутизна транзистора; S = 1,81 (А/В)

Определяем граничные и предельные частоты транзистора

а) выписываем из справочника для биполярного транзистора значения граничных и предельных частот ¦_гр = ¦_Т, оцениваем граничную частоту из соотношения: ¦_Т = |Н_21Э| ¦_изм = 0,15 ГГц - граничная частота усиления транзистора по току в схеме с общим эмиттером, где |Н_21Э| - модуль коэффициента передачи по току на высоких частотах, ¦_изм - частота, на которой он измерен (справочные данные);

б) рассчитываем граничные и предельные частоты биполярного транзистора, воспользовавшись следующими соотношениями:

- предельная частота в схеме включения транзистора с общим эмиттером;

    - предельная частота в схеме включения транзистора с общей базой;

- максимальная частота генерации;

    - предельная частота транзистора по крутизне;

Оцениваем частотные зависимости Y-параметров транзисторов

Определяем частотные зависимости модулей ½Y₂₁(w)½, ½Y₁₁(w)½ биполярного транзистора, воспользовавшись соотношениями:

 - проводимость прямой передачи, которую определяем при коротко замкнутом для переменной составляющей выходе транзистора;

 - входная проводимость, которую определяем при короткозамкнутом для переменной составляющей выходе транзистора,

где w_b = 2p¦_b, w_S = 2p¦_S .

Построим графики зависимостей ½Y₂₁(w)½ и ½Y₁₁(w)½, задаваясь значениями w (максимальное значение частоты должно быть
w ³ (10 – 100)×w_S;

8. Определим сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:

Оценим значение сопротивления нагрузки биполярного транзистора по переменному току из соотношения

(Ом);

согласуя со значением из номинального ряда, получим R_~= 240 Ом