УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕКУРСОВАЯ РАБОТА
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
Подпись Дата Ф.И.О.
Руководитель Елфимов В.И.
Студент Костарева Т.В.
Группа: Р-224б
Номер зачетной книжки 09111006
Екатеринбург 2003
Оглавление
1. Цель курсовой работы
2. Задание на курсовую работу
3. Содержание курсовой работы
Список используемой литературы
Приложение 1. Перечень элементов
Приложение 2. Принципиальная схема усилительного каскада
Цель курсовой работы
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Электроника», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, в развитии навыков выполнения информационного поиска, пользования справочной литературой, определения параметров эквивалентных схем биполярных и полевых транзисторов, в создании разностороннего представления о конкретных электронных элементах.
Задание на курсовую работу
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого следует рассчитать параметры эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графоаналитическим методом определить основные параметры усилительного каскада.
Содержание курсовой работы
Паспортные данные
Транзистор КТ602А
Транзистор кремниевый планарный n-p-n универсальный маломощный. Предназначен для применения в схемах генерирования и усиления сигналов радиотехнических устройств.
Электрические параметры
Граничное напряжение при Iэ=50 мА, t=5 мкс, f=2 кГц ……………70 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=50 мА, Iб=5 мА .3В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=50 мА, Iб=5 мА..…….3 В
Емкость коллекторного перехода при Uкб=50 В, f=2 МГц, не более 4пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб=0 В, f=2 МГц, не более 25 пФ
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=10 В, Iк=10 мА, f=2 МГц, ...300 пс
Граничная частота…………………………………………….…150 МГц
Обратный ток коллектора при Uкб=120 В, Т=298 К, не более:..70 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база………………………….120 В
Импульсное напряжение коллектор-база………………………….160 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер ……………………..100 В
Постоянное напряжение эмиттер-база ………………………………5 В
Постоянный ток коллектора ………………………………………75 мА
Постоянный ток эмиттера………………………………………….80 мА
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=358 К………………0,2 Вт
Температура перехода……………………………………………....393 К
Температура окружающей среды………..……………...от 233 до 358 К
Графически определяем малосигнальные параметры
Анализ полученных данных
Результатом выполнения данной курсовой работы является расчет основных характеристик усилительного каскада, выполненного на биполярном транзисторе.
Рассмотренный в работе усилительный каскад обладает высоким коэффициентом усиления как по напряжению, так и по току ( при Uвх1 =Uвх и Rн1 = Rн коэффициент усиления по току составил Ki=45,28, а по напряжению Ki=461,7), что позволяет использовать такие каскады, например, в более мощных усилителях.
Коэффициент гармоник при Uвх1 =Uвх н ; Rн1 = Rн составил 5,6
Наибольшие трудности для меня вызвало определение динамических параметров усилительного каскада графоаналитическим методом.
Наиболее полезно для меня как результат выполнения данной курсовой работы является закрепление знаний, полученных при изучении дисциплины «Электроника», а также получение опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов.
Общие затраты времени на выполнение курсовой работы и оформление пояснительной записки составило почти три недели, т.к. параллельно с этой работой приходилось очень много делать домашних заданий по другим предметам.
Данная курсовая работа помогла более полно разобраться в методике расчета усилительных каскадов, которая будет полезна в моей будущей инженерной деятельности.
Список литературы
1. Электроника: Методические указания к выполнению курсовой работы/ В.И. Елфимов, Н.С. Устыленко. Екатеринбург: УГТУ-УПИ, 2002. 37 с
2. Полупроводниковые приборы. Транзисторы малой мощности: Справочник/ Под ред. А.В. Голомедова. 2-е изд., стереотип. М.: Радио и связь, изд. фирма "Куб-ка", 1994. 384 с.
Приложение1. Перечень элементов
| Поз. обозна-чение |
Наименование |
Кол. |
Примечание | ||||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | ||||||||||
| Резисторы | |||||||||||||
| R 1 | МЛТ-0,125-2кОм ± 10% | 1 | |||||||||||
| R 2 | МЛТ-0,125- 8 2Ом ± 10% | 1 | |||||||||||
| R К | МЛТ-0,125- 390 Ом ± 10% | 1 | |||||||||||
| R Н | МЛТ-0,125- 680 Ом ± 10% | 1 | |||||||||||
| Транзистор | |||||||||||||
| VT | ГТ330Ж | 1 | |||||||||||
|
|
|
|
| ||||||||||
|
|
|
|
| ||||||||||
|
|
| ||||||||||||
|
| |||||||||||||
| Изм | Лист | № докум. | Подп | Дата | |||||||||
| Разраб. | Шарафгалиева Т.В. | Схема электрическая принципиальная цепи питания транзистора Перечень элементов | Лит. | Лист | Листов | ||||||||
| Пров. | Елфимов В.И. |
| 1 | 2 | |||||||||
|
| УГТУ-УПИ Р-224б | ||||||||||||
| Н. контр. |
| ||||||||||||
| Утверд. |
| ||||||||||||
Приложение 2. Принципиальная схема усилительного каскада
|
| ||||||||||
|
| ||||||||||
| Изм | Лист | № докум. | Подп | Дата | ||||||
| Разраб. | Шарафгалиева И. Ф. | Схема электрическая принципиальная цепи питания транзистора | Лит. | Лист | Листов | |||||
| Пров. | Елфимов В.И.. | К | 2 | 2 | ||||||
| УГТУ-УПИ Р-224 | ||||||||||
| Н. контр. | ||||||||||
| Утверд. | ||||||||||
УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕКУРСОВАЯ РАБОТА
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
Подпись Дата Ф.И.О.
Руководитель Елфимов В.И.
Студент Костарева Т.В.
Группа: Р-224б
Номер зачетной книжки 09111006
Екатеринбург 2003
Оглавление
1. Цель курсовой работы
2. Задание на курсовую работу
3. Содержание курсовой работы
Список используемой литературы
Приложение 1. Перечень элементов
Приложение 2. Принципиальная схема усилительного каскада
Цель курсовой работы
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Электроника», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, в развитии навыков выполнения информационного поиска, пользования справочной литературой, определения параметров эквивалентных схем биполярных и полевых транзисторов, в создании разностороннего представления о конкретных электронных элементах.
Задание на курсовую работу
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого следует рассчитать параметры эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графоаналитическим методом определить основные параметры усилительного каскада.
Содержание курсовой работы
Паспортные данные
Транзистор КТ602А
Транзистор кремниевый планарный n-p-n универсальный маломощный. Предназначен для применения в схемах генерирования и усиления сигналов радиотехнических устройств.
Электрические параметры
Граничное напряжение при Iэ=50 мА, t=5 мкс, f=2 кГц ……………70 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=50 мА, Iб=5 мА .3В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=50 мА, Iб=5 мА..…….3 В
Емкость коллекторного перехода при Uкб=50 В, f=2 МГц, не более 4пФ
Емкость эмиттерного перехода при Uэб=0 В, f=2 МГц, не более 25 пФ
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=10 В, Iк=10 мА, f=2 МГц, ...300 пс
Граничная частота…………………………………………….…150 МГц
Обратный ток коллектора при Uкб=120 В, Т=298 К, не более:..70 мкА
Предельные эксплуатационные данные
Постоянное напряжение коллектор-база………………………….120 В
Импульсное напряжение коллектор-база………………………….160 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер ……………………..100 В
Постоянное напряжение эмиттер-база ………………………………5 В
Постоянный ток коллектора ………………………………………75 мА
Постоянный ток эмиттера………………………………………….80 мА
Постоянная рассеиваемая мощность при Т=358 К………………0,2 Вт
Температура перехода……………………………………………....393 К
Температура окружающей среды………..……………...от 233 до 358 К
Дата: 2019-12-10, просмотров: 182.
