Указания по технике безопасности
К проведению лабораторных работ допускаются студенты, ознакомленные с данным указанием и проинструктированные преподавателем по технике безопасности обращения с приборами, используемыми по теме проводимой работы.
Установка рабочего макета и подключение измерительных приборов, а также сборка электрических схем производится при отключенном питании лабораторного стола.
Сборка электрических схем разрешается проводами с хорошим и проверенным изоляционным покрытием.
Включение собранной электрической схемы и работа с ней допускается только после осмотра ее преподавателем и получения от него разрешения на продолжение работы. При включенной электрической схеме нельзя подключать к ней различные приборы и проводники. Для этого необходимо выключить питание лабораторного стола.
Во время работы студент обязан помнить, что прикасаться руками к открытым токоведущим клеммам и зажимам запрещается. При обнаружении ошибки в собранной им схеме выключается общий рубильник лабораторного стола.
ИССЛЕДОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА
Цель работы
1. Снять прямую ветвь вольтамперной характеристики диода при различных температурах окружающей среды.
2. Снять обратную ветвь вольтамперной характеристики при различных температурах окружающей среды.
3. Определить динамическое и статическое сопротивление диода при различных температурах окружающей среды.
4. Построить зависимость статического и динамического сопротивления от приложенного напряжения.
5. Определить коэффициент выпрямления для различных температур.
I. Методические указания
Для снятия прямых ветвей вольт-амперных характеристик (ВАХ) 
диодов используется схема, приведенная на рис. 1.5. Исследуемые диоды включаются в прямом направлении. Содержащиеся в схеме вольтметр и миллиамперметр непосредственно измеряют прямое напряжение, приложенное к диоду, и величину прямого тока через диод.
Рис. 1.5
Схема для снятия обратной ветви ВАХ выпрямительных диодов приведена на рис. 1.6.
Рис. 1.6
II. Программа работы
1. Сборка и апробирование схем.
2. Снятие прямой и обратной ветвей ВАХ кремневого и германиевого выпрямительных диодов при комнатной температуре.
3. Снятие ВАХ и 
при повышенной температуре ( 
°C).
4. Построение ВАХ диодов, обработка полученных результатов.
1. Сборка и апробирование схем для снятия вольт-амперных характеристик диодов.
Схемы собираются на основе монтажного шасси с использованием источников питания, измерительных приборов лабораторного стенда и комплекта соединительных проводов. Для нагревания диодов используется термостат.
Элементы схемы соединяются между собой в соответствии со схемами, изображенными на рис. 1.5., 1.6.
При снятии прямой и обратной ветвей ВАХ диода подаваемые наибольшие величины прямого и обратного напряжений не должны превышать предельно допустимых для конкретного типа прибора.
После сборки схем с разрешения преподавателя необходимо провести апробирование схем, т.е. при включенном питании убедится в наличии токов через диоды, установить пределы измерений стрелочных измерительных приборов и определить цену деления шкал приборов.
2. Снятие прямой и обратной ветвей ВАХ выпрямительных диодов при комнатной температуре.
При снятии прямой ветви ВАХ (рис. 1.5.) прямое напряжение подается от источника питания 0¸15 В, изменяется в интервале 0¸0,5 В для германиевого диода, 0¸1 В для кремневого диода с помощью потенциометра.
Для снятия обратной ветви ВАХ (рис. 1.6.) схема питается от источника 0¸300 В. Обратное напряжение изменяется в пределах, допустимых для данного типа диода с интервалом 5 В в начале характеристики и с интервалом 10 В на пологом участке характеристики.
3. Снятие ВАХ диодов при повышенной температуре.
Для снятия ВАХ при указанной преподавателем температуре исследуемые диоды помещаются в термостат. Температура нагрева контролируется термометром. Пределы измерения напряжений и интервалы между отсчетами остаются такими же, как в п. 2.
4. Построение ВАХ диодов, обработка полученных результатов.
По данным измерений строятся графики вольт-амперных характеристик диодов на одном рисунке.
III. Содержание отчета
1. Наименование и цель работы.
2. Паспортные данные исследуемых приборов.
3. Схема исследования.
4. Таблицы с данными измерений.
5. Графики снятых зависимостей и расчетные параметры.
6. Расчет и построение зависимостей динамического и статистического сопротивлений от приложенного напряжения
7. Выводы по работе.
IV. Контрольные вопросы и задания
1. Что такое собственная, электронная и дырочная проводимости полупроводников?
2. Как на энергетических диаграммах полупроводников с собственной, электронной и дырочной проводимостями располагается уровень Ферми?
3. Как зависит положение уровня Ферми от концентрации примесей в примесных полупроводниках?
4. Нарисовать энергетическую диаграмму p-n перехода.
5. Что такое контактная разность потенциалов двух полупроводников и чем определяется ее величина?
6. Нарисовать энергетические диаграммы p-n перехода при прямом и обратном включениях.
7. Из каких составляющих состоит ток через p-n переход и как они зависят от внешнего напряжения?
8. Как зависит величина прямого и обратного тока p-n перехода от температуры и почему?
9. Что такое ширина p-n перехода и как она зависит от величины и полярности приложенного напряжения?
10. Что такое емкость p-n и как она зависит от приложенного напряжения?
11. Нарисовать устройство точечных и плоскостных диодов.
12. Чем различаются характеристики германиевых и кремниевых диодов?
13. Как влияет температура окружающей среды на характеристики диодов?
14. Назвать основные параметры точечных и плоскостных диодов.
15. Назвать преимущества и недостатки полупроводниковых диодов по сравнению с вакуумными и каковы основные области их применения.
I. Полупроводниковый диод
1. Что такое диффузия носителей в полупроводнике?
а) движение носителей за счет электрического поля;
б) хаотическое тепловое движение носителей;
в) движение за счет разности концентраций.
2. Что такое дрейф носителей в полупроводнике?
а) хаотическое тепловое движение;
б) движение носителей за счет электрического поля;
в) движение за счет разности концентраций.
3. Какой материал чаще всего используется для изготовления выпрямительных диодов?
а) кремний;
б) селен;
в) арсенид галлия;
г) окись бария.
4. Чем объясняется скачек потенциала на границе двух областей с разным типом проводимости?
а) разной концентрацией подвижных носителей;
б) наличием внешнего источника напряжения;
в) наличием двойного электрического слоя, образующегося за счет нескомпенсированного объемного заряда по обе стороны p-n-перехода;
г) инжекцией подвижных носителей сквозь p-n-переход.
5. При каких значениях прямого напряжения обычно работают германиевые выпрямительные диоды?
а) 0,01 – 0,08 В;
б) 0,08 – 0,2 В;
в) 0,2 – 0,8 В;
г) 0,8 – 1,5 В.
6. При каких значениях прямого напряжения обычно работают кремниевые выпрямительные диоды?
а) 0,01 – 0,1 В;
б) 0,1 – 0,7 В;
в) 0,7 – 2 В;
г) 2 – 3,5 В.
7. Какова величина допустимого обратного напряжения у кремниевых плоскостных выпрямительных диодов?
а) 5 – 30 В;
б) 100 – 1500 В;
в) 1500 – 2500 В;
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 2
Цель работы
1. Снять обратную ветвь вольтамперной характеристики стабилитрона.
2. Исследовать работу простейшего стабилизатора напряжения.
I. Методические указания
Для снятия обратной ветви ВАХ кремниевых стабилитронов используется схема, приведенная на рис. 2.2.
Рис. 2.2.
II. Программа работы
1. Сборка и апробирование схем.
2. Снятие обратной ветви ВАХ кремниевого стабилитрона при комнатной температуре.
3. Снятие обратной ветви ВАХ кремниевого стабилитрона при 
.
1. Сборка и апробирование схем для снятия вольт - амперных характеристик кремниевых стабилитронов.
Схемы собираются на основе монтажного шасси с использованием источников питания, измерительных приборов лабораторного стенда и комплекта соединительных проводов. Для нагревания стабилитронов используется термостат.
Элементы схемы соединяются между собой в соответствии со схемой, изображенной на рис. 2.2.
При снятии ВАХ стабилитрона подаваемые наибольшие величины обратного напряжения не должно превышать предельно допустимых для конкретного типа прибора.
После сборки схем с разрешения преподавателя необходимо провести апробирование схем, т.е. при включенном питании убедиться в наличии токов через стабилитроны, установить пределы измерений стрелочных измерительных приборов и определить цену деления шкал приборов.
2. Снятие обратной ветви ВАХ кремниевого стабилитрона при комнатной температуре.
При снятии обратной ветви характеристики кремниевого стабилитрона 
(рис. 2.3.) обратное напряжение подается от источника питания 0¸15 В. Отсчеты берутся через интервалы измерения 0,1¸1 В (малые интервалы выбираются на участке электрического пробоя диода).
Рис. 2.3.
3. Снятие обратной ветви ВАХ кремниевого стабилитрона при .
Осуществляется аналогично п. 2.
III. Содержание отчета
1. Паспортные данные исследуемого стабилитрона.
2. Электрическая схема.
3. Результаты измерений.
4. Графики вольтамперной характеристики при комнатной температуре, при температуре 50° С.
5. На графиках отметить область стабилизации.
6. Произвести расчет 
по снятым при разной температуре обратным характеристикам опорного диода. Расчет выполняется по формуле
где 
— напряжение, соответствующее заданному току при t=50° С;
¾ напряжение, соответствующее заданному току при комнатной температуре.
7. По обратным характеристикам диода и по изменениям напряжения источника питания подсчитать коэффициент стабилизации k по формуле
где 
¾ изменение напряжения источника питания, измеряемого вольтметром V1 (рис. 2.2);
¾ изменение напряжения опорного диода, измеряемого вольтметром V2 (рис. 2.2);
— напряжение стабилизации опорного диода.
8. Построить зависимость 
9. Подсчитать для каждого случая 
и 
.
VI. Контрольные вопросы и задания
1. Назовите основные виды пробоя.
2. Какие виды пробоя используются в стабилитронах?
3. Как влияет проводимость исходных материалов на величину напряжения пробоя р-n перехода стабилитронов?
4. Нарисуйте характеристику стабилитрона. Расскажите, какие основные
5. Назовите основные параметры стабилитрона.
6. Почему в качестве материала для стабилитронов выбран кремний, а не германий?
7. Какой основной параметр характеризует работу стабилитрона при различных температурах?
8. Что такое и как он определяется?
9. Чем ограничена величина наибольшего тока стабилизации?
10. Что такое коэффициент стабилизации?
11. Назовите типы стабилитронов, выпускаемых промышленностью, и приведите численные значения их основных параметров.
12. Где применяются стабилитроны?
II. Стабилитрон
1. Какой материал чаще всего используется для изготовления стабилитронов?
а) германий;
б) селен;
в) кремний;
г) арсенид галлия;
2. Укажите характеристику стабилитрона, а также ее рабочую область (АВ).
3. При какой полярности напряжения работают стабилитроны?
а) при прямом напряжении;
б) при обратном напряжении;
в) при любой полярности.
4. Каков порядок величины дифференциального сопротивления стабилитрона в рабочей области?
а) несколько МОм;
б) несколько кОм;
в) несколько Ом;
г) доли Ом;
д) правильного ответа нет.
5. Чем определяется максимальное значение рабочего тока стабилитрона?
а) наступлением теплового пробоя;
б) устойчивостью лавинного пробоя;
в) величиной рабочего напряжения.
6. Чем определяется минимальное значение рабочего тока стабилитрона?
а) мощностью, рассеиваемой диодом;
б) устойчивостью лавинного пробоя;
в) величиной рабочего напряжения.
7. Как влияет повышение температуры на возникновение лавинного пробоя в кремниевом диоде?
а) не влияет;
б) облегчает развитие пробоя;
в) затрудняет развитие пробоя.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 3
Цель работы
1. Снять вольт-амперную характеристику туннельного диода при различных согласующих сопротивлениях (3, 6, 10 Oм).
2. Отметить на вольт-амперной характеристике по осциллографу участки отрицательного динамического сопротивления.
I. Методические указания
1. Записать паспортные данные исследуемого диода.
2. Зарисовать электрическую схему (рис. 3.5).
Рис. 3.5
II. Программа работы
1. Собрать схему (рис. 3.4) для снятия вольтамперной характеристики туннельного диода ГИ305Б.
2. Включить ветви питания и радиоизмерительные приборы.
3. Снять зависимость при различных значениях согласующего сопротивления ( 
Ом) при комнатной температуре.
4. Установить 
Oм и снять при 
.
5. С помощью осциллографа С1-5 убедиться, что на отрицательном участке вольтамперной характеристики возможна генерация, и определить область генерации. Начало генерации соответствует напряжению U1,а конец— U2.
6. Результаты измерений занести в табл. 3.1.
Таблица 3.1
| Uпр, мВ | ……. | |||||||||||||||||||||||||||
| R2, 3 Oм | ||||||||||||||||||||||||||||
| R2, 6 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||
| R2, 10 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||
III. Содержание отчета
1. Наименование и цель работы.
2. Паспортные данные исследуемого диода.
3. Электрическая схема испытания.
4. Результаты измерений.
5. Вольтамперные характеристики, снятые при различных температурах и сопротивлениях.
6. Расчеты:
— предельной частоты генерации диода;
¾ собственной резонансной частоты;
— входного сопротивления диода на предельной частоте.
7. Графики зависимостей при различных температурах окружающей среды и разных согласующих сопротивлениях.
IV. Контрольные вопросы и задания
1. Принцип действия туннельного диода.
2. Туннельный эффект.
3. Определение вырожденного полупроводника и его энергетическая диаграмма.
4. Построение вольтамперной характеристики туннельного диода.
5. Энергетические диаграммы различных точек вольтамперной характеристики.
6. Основные параметры туннельного диода.
7. Отличие вольтамперной характеристики туннельного диода от обыкновенного.
8. Применение туннельного диода.
9. Эквивалентная схема туннельного диода.
III. Туннельный диод
1. Какой материал чаще всего используется для изготовления туннельных диодов?
а) германий;
б) кремний;
в) арсенид галлия.
2. Какова, примерно, концентрация подвижных носителей в тунельном диоде?
а) 1010 1/см3;
б) 1019 1/см3;
в) 108 1/см3.
3. Какова вольт-амперная характеристика туннельного диода?
4. Как обозначаются на схемах туннельные диоды?
 | |||||
 | |||||
 | |||||
а) 
б) в) г)
5. Какой ток течет на участке АВ?
а) туннельный;
б) диффузионный;
в) дрейфовый.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 4
СНЯТИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРА, ВКЛЮЧЕННОГО ПО СХЕМЕ «ОБЩАЯ БАЗА»
Цель работы
1. Исследование характеристик биполярных транзисторов при включении с общей базой.
I. Методические указания
В работе исследуются характеристики маломощных транзисторов p-n-p – и n-p-n – типа. Для этих целей используется макет (рис. 4.5.), принципиальная схема которого приведена на рис. 4.6. В схеме предусмотрено коммутирование полярности подключаемых источников питания с помощью переключателя S1. Исследуемая схема (ОБ или ОЭ) выбирается переключателем S3. Выбор типа транзистора производится переключателем S4: положение 1 соответствует типу p-n-p, положение 2, 3 – n-p-n. Для снятия характеристик транзисторов в режиме с нагрузкой в схему включены резисторы R3 и R4, которые коммутируются переключателем S2. Напряжения на выходе и входе плавно изменяются потенциометрами Rвых и Rвх соответственно.
Рис. 4.5.
В работе используются два регулируемых источника питания (0 – 15 В).
Рис. 4.6.
II. Программа работы
1. Сборка и апробирование схемы исследования.
2. Снятие семейства статических входных характеристик транзистора p-n-p – типа при комнатной температуре.
3. Снятие семейства статистических выходных характеристик транзистора p-n-p – типа при комнатной температуре.
4. Снятие семейства статистических входных и выходных характеристик при температуре .
5. Повторить пп. 1 – 4 для транзистора n-p-n – типа.
6. Построение графиков снятых характеристик.
1. Сборка и апробирование схемы исследования.
Транзисторы укреплены на отдельной плате, которая присоединена разъемом к лабораторному макету. Для исследования транзисторов собрать схему (рис. 4.7.), используя монтажные провода для подключения источников питания, измерительных приборов к макету, соблюдая при этом правильную полярность.
Рис. 4.7.
С разрешения преподавателя включить схему, убедиться в наличии напряжений и токов, установить нужные пределы измерений приборов и определить цену деления шкалы. При измерении не превышать предельно допустимых значений напряжений.
2. Снятие семейства статических входных характеристик транзистора p-n-p – типа при комнатной температуре.
Снимаются зависимости 
при 
.
3. Снятие семейства статистических выходных характеристик транзистора p-n-p – типа при комнатной температуре.
Снимаются зависимости 
при 
.
4. Снятие семейства статистических входных и выходных характеристик при температуре .
Плата с транзисторами помещается в термостат, характеристики снимаются при в соответствии с указаниями пп. 2 и 3.
5. Повторить пп. 1 – 4 для транзистора n-p-n – типа.
При сборке схемы учесть полярность включения измерительных приборов.
6. Построение графиков снятых характеристик.
По данным измерений строятся входные и выходные характеристики транзисторов в схеме с общей базой при комнатной температуре и температуре 50° С.
Для напряжения на коллекторе, указанного преподавателем, и при комнатной температуре построить характеристику прямой передачи тока.
По построенным характеристикам определить 
– параметры транзисторов.
III. Содержание отчета
1. Наименование и цель работы.
2. Паспортные данные исследуемых транзисторов.
3. Схему измерения характеристик транзисторов.
4. Таблицы измерений характеристик и параметров транзисторов.
5. Графики семейств входных и выходных характеристик транзисторов.
6. Значения – параметров транзисторов, рассчитанные по снятым характеристикам.
IV. Контрольные вопросы и задания
1. Нарисовать схематическое изображение транзистора типа р-п-р и п-р-п.
2. Физика работы транзистора.
3. Нарисовать энергетическую диаграмму транзистора для активного режима.
4. Нарисовать энергетическую диаграмму транзистора для равновесного состояния.
5. Назвать основные режимы работы транзистора.
6. Что такое эффективность эмиттера 
?
7. Что такое коэффициент переноса 
?
8. Что такое коэффициент передачи 
?
9. Каковы меры повышения , и ?
10. Нарисовать схему включения транзистора по схеме ОБ.
11. Что такое коэффициент усиления по току схемы ОБ ki ?
12. Что такое коэффициент усиления по напряжению схемы ОБ ku?
13. Что такое коэффициент усиления по мощности схемы ОБ kp?
14. Как вычисляются ki, ku, kp по статическим характеристикам?
15. Назвать достоинства схемы ОБ.
16. Назвать недостатки схемы ОБ.
17. В чем состоит отличие управления током коллектора транзистора от управления анодным током электронной лампы?
18. Какую зависимость транзистора определяет его входная характеристика?
19. Какую зависимость транзистора определяет ее выходная характеристика?
20. Чем объяснить отсутствие усиления по току в схеме с общей базой?
21. Охарактеризуйте каждый из – параметров транзистора для схемы с общей базой. Укажите размерность – параметров, поясните их физический смысл.
22. Каким образом можно определить – параметры по статистическим характеристикам транзистора (для схемы с ОБ)?
23. Нарисуйте энергетические диаграммы p-n-p - (n-p-n) – транзистора.
24. Что такое коэффициент инжекции? Почему он должен быть близок к единице?
25. Какие процессы в базе характеризует коэффициент переноса?
26. Из каких компонентов состоит ток базы?
27. Что такое 
и каковы причины его возникновения?
28. Устройство плоскостных транзисторов.
IV. Транзистор с общей базой (ОБ)
1. Какое явление в транзисторе называется инжекцией?
а) поступление основных носителей в область базы;
б) поступление неосновных носителей в область базы;
в) поступление неосновных носителей в область коллектора;
2. С какой целью обычно делают площадь коллекторного перехода существенно больше площади эмиттерного перехода?
а) с целью уменьшения диффузионного сопротивления базы;
б) с целью уменьшения сопротивления коллекторного перехода;
в) с целью уменьшения рекомбинации неосновных носителей в базе.
3. Чем объясняется изменение коэффициента передачи тока эмиттера при изменении коллекторного напряжения?
а) увеличением инжекции носителей в базу;
б) уменьшением противотока носителей из коллектора в базу;
в) изменением в основном ширины коллекторного перехода и соответственно изменением толщины базы.
4. Будет ли в цепи коллектора транзистора протекать ток, если 
, а 
?
а) не будет из-за отсутствия инжекции дырок в базу;
б) будет из-за наличия тока неосновных носителей базы и коллектора через коллекторный переход.
5. Зависят ли токи эмиттера и коллектора от толщины базы транзистора?
а) не зависят;
б) зависят, причем значения токов возрастают с уменьшением толщины базы;
в) зависят, причем с ростом толщины базы токи возврастают.
6. Какая коллекторная емкость – барьерная или диффузионная – сильнее влияет на высокочастотные свойства транзистора?
а) барьерная емкость;
б) диффузионная емкость;
в) барьерная и диффузионная емкости влияют одинаково.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА 5
Цель работы
1. Исследование характеристик биполярных транзисторов p-n-p, n-p-n типа при различных температурах, определение основных параметров при включении с общим эмиттером.
I. Методические указания
В работе исследуются характеристики маломощных транзисторов p-n-p – и n-p-n – типа, включенных по схеме с общим эмиттером. Для этих целей используется макет, описание которого приведено в работе № 4.
II. Программа работы
1. Сборка и апробирование схемы исследования.
2. Снятие семейства статических входных характеристик транзистора p-n-p – типа при комнатной температуре.
3. Снятие семейства статических выходных характеристик транзистора p-n-p – типа при комнатной температуре.
4. Снятие семейства статических входных и выходных характеристик при температуре .
5. Повторить пп. 1 – 4 для транзистора n-p-n – типа.
6. Построение графиков снятых характеристик.
1. Сборка и апробирование схемы исследования.
Для исследования транзисторов собрать схему (рис. 5.3.), используя монтажные провода для подключения источников питания, измерительных приборов к макету, соблюдая правильную полярность. С разрешения преподавателя включить схему, убедиться в наличии напряжений и токов, установить нужные пределы измерений приборов и определить цену деления шкалы. При измерении не превышать предельно допустимых значений напряжений.
Рис. 5.3.
2. Снятие семейства статических входных характеристик транзистора p-n-p – типа при комнатной температуре.
Снимаются зависимости 
при 
.
3. Снятие семейства статических выходных характеристик транзистора p-n-p – типа при комнатной температуре.
Снимаются зависимости 
при 
.
4. Снятие семейства статических входных и выходных характеристик при температуре .
Плата с транзисторами помещается в термостат, характеристики снимаются при температуре в соответствии с указаниями по пп. 2 и 3.
5. Повторить пп. 1 – 4 для транзистора n-p-n – типа.
При сборке схемы учесть полярность включения измерительных приборов.
6. Построение графиков снятых характеристик.
На основании результатов измерений в прямоугольной системе координат строятся графики семейств входных и выходных характеристик транзистора. На графиках выходных характеристик отрицательные значения 
откладываются вправо от начала координат.
По построенным характеристикам определить – параметры транзисторов.
III. Содержание отчета
1. Паспортные данные исследуемого транзистора.
2. Электрическая схема.
3. Таблицы результатов испытания.
4. Вычисление, входного сопротивления транзистора 
, выходной проводимости 
и коэффициента передачи тока .
5. Вычисление параметров Т-образной эквивалентной схемы.
6. Графики снятых зависимостей, построенные на миллиметровой бумаге.
7. Выводы по проделанной работе.
IV. Контрольные вопросы и задания
1. Какую зависимость транзистора, включенного по схеме ОЭ, определяет его входная характеристика?
2. Какую зависимость транзистора, включенного по схеме ОЭ, определяет его выходная характеристика?
3. Что характеризует коэффициент ?
4. Охарактеризуйте каждый из – параметров транзистора для схемы ОЭ. Указать размерность – параметров, поясните их физический смысл.
5. Нарисуйте энергетические диаграммы p-n-p – транзисторов.
6. Покажите, какие изменения происходят на энергетической диаграмме p-n-p – и n-p-n – транзистора при включении эмиттерного и коллекторного переходов в прямом и обратном направлениях соответственно.
7. Из каких компонентов состоит ток через эмиттерный переход?
8. Почему изменяется ширина базы при изменении коллекторного напряжения и к каким следствиям приводит этот процесс?
9. Из каких компонентов состоит ток через коллекторный переход?
10. Объясните особенности характеристики передачи тока транзистора при включении с общим эмиттером для 
.
11. Назовите параметры транзисторов в различных системах и дайте их физическое определение.
12. Каковы основные преимущества и недостатки транзисторов по сравнению с электронными лампами.
Цель работы
1. Изучение принципа действия, снятие статистических характеристик и определение основных параметров полевых транзисторов с управляющим p-n – переходом и с изолированным затвором.
I. Методические указания
На рис. 6.3. представлена схема для исследования полевого транзистора с управляющим p-n – переходом (КП-103Е, канал p-типа).
Рис. 6.3.
Схема для исследования транзистора с изолированным затвором (МДП) приведена на рис. 6.4. В схему включены источники питания, исследуемые транзисторы, измерительные приборы. При включении приборов и источников питания в схему строго соблюдать полярность.
Рис. 6.4. 1 – с каналом p-типа, 2 – с каналом n-типа
II. Программа работы
1. Сборка и апробирование схемы.
2. Снятие семейства статических характеристик прямой передачи полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре 
.
3. Измерение семейства статистических выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре .
4. Снятие семейства статических характеристик прямой передачи полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре .
5. Снятие семейства статистических выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре .
6. Снятие семейства статических выходных характеристик МДП транзистора при температуре 20 и 50° C.
7. Построение графиков семейства снятых характеристик при разных температурах и определение статических малосигнальных параметров ( 
).
1. Сборка и апробирование схемы.
Схема собирается на основе монтажного шасси и комплекта соединительных проводов. Исследуемые транзисторы вынесены на отдельные платы для помещения их в термостат. Напряжение входное ( 
нужной полярности) подается от источника питания (0 – 15 В) через потенциометр 470 Ом. Напряжение 
подается от источника 0 – 15 В.
С разрешения преподавателя включить схему, убедиться в наличии напряжений и токов, установить пределы измерений приборов и определить цену деления. Во избежании выхода полевого транзистора из строя соблюдать строго полярность включения его в схему; не работать с отключенным затвором, не подавать отрицательное напряжение на затвор.
2. Снятие семейства статических характеристик прямой передачи полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре .
Снимается зависимость 
при 
. Напряжение на затворе изменяется в пределах от 0 до +2,0 В. Отсчеты берутся через интервалы, равные 0,2 В. Измерения провести для четырех постоянных значений напряжений : -8,0; -4,0; -2,0; -1,0 В. Данные измерений заносятся в таблицу. По результатам строится график семейства .
3. Измерение семейства статистических выходных характеристик полевого транзистора с управляющим p-n – переходом при температуре .
Снимается зависимость 
при 
. Величина
Дата: 2016-10-02, просмотров: 300.
