Выбор элементной базы проектируемого устройства
Поможем в ✍️ написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

При выборе элементной базы следует руководствоваться нижеизложенными правилами.

Выбор транзисторов

При выборе типа транзисторов должны выполнятся следующие условия:

1) Uк<Uк max. доп.;

2) Iк<Iк max. доп.;

3) Ркк max. доп.;

4) Uбэ обр. < Uбе обр. доп.;

5) Fраб. << Fграничная.

Тип проводимости транзистора должен соответствовать полярности питающих напряжений. Транзистор выбранного типа должен иметь минимально возможную цену при удовлетворяющих электрических параметрах.

Проанализировав схему электрическую принципиальную останавливаем свой выбор в пользу транзисторов типа КТ315Е, КТ361Б. Основные максимально допустимые параметры транзисторов приведены в таблице 2.3.1.

 

Таблица 2.3.1

Наименование Обозначение Значение
Постоянный ток коллек-тора, мА: КТ315Е КТ361Б     IK max       100 50
Постоянное напряжение коллектор-база, В: КТ315Е КТ361Б UКБ max     35 20
Постоянное напряжение база-эмиттер, В: КТ315Е КТ361Б UБЭ max     6 4
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБ=10кОм, В: КТ315Е КТ361Б   UКЭ max   35 20
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тс=-60…+25оС, мВт: КТ315Е КТ361Б   РК max     150 150
Температура перехода, оС: КТ315Е КТ361Б   Тп max   120 120
Допустимая температура окружающей среды, оС: КТ315Е КТ361Б       -60…+100 -60…+100

 

Выбор цифровых микросхем

При выборе цифровых микросхем должны выполнятся основные указанные требования.

1) Fраб.тактовая<Fтакт.max.доп.;

2) Ттакт.>Ттакт.max.доп.;

3) Логика выполняемых функций должна соответствовать логике выбранного типа микросхемы;

4) Еисм <=Еисм.пит.допустимого.

При выборе цифровых микросхем стремятся при всех прочих равных условиях выбрать микросхемы с наименьшей потребляемой мощностью.

Необходимо также следить за выполнением соотношения цена / качество.

Проанализировав схему делаем выбор в пользу микросхемы серии К561ЛА7 и К561ТМ2.

Основные характеристики микросхем:

1) Диапазон питающих напряжений +3…+15В

2) Температура окружающей среды -45…+85оС

3) Входное сопротивление 100 МОм

Выбор полупроводникового стабилизатора напряжения

При выборе полупроводникового стабилизатора напряжения должны выполнятся следующие условия:

1) Епит=Uвых.стабилизатора;

2) Iнагр.<Iвых.стаб.max.;

3) Р < Рвых.стаб.max.

Обращаем также внимание на соотношение параметра цена / качество от разных фирм изготовителей. Делаем выбор в пользу стабилизатора типа КР142ЕН8Б.

Основные электрические параметры:

1) Максимально допустимый ток нагрузки 1,5А

2) Коэффициент стабилизации 5000

3) Выходное напряжение 12В

Выбор полупроводниковых диодов

При выборе полупроводниковых диодов должны выполнятся следующие условия:

1) Uобр.<Uобрат.max.доп.;

2) Iраб.<Iраб.max.доп.;

3) Рраб.max.доп.;

4) Fраб.<Fmax.доп.

Проанализировав электрическую схему выбираем в качестве импульсных диодов, диоды типа КД522Б, КД209В, а в качестве силового диода-мост КЦ405В. Основные электрические параметры диодов приведены ниже.

Основные электрические параметры диода КД522Б:

1) Постоянное обратное напряжение 60В

2) Импульсное обратное напряжение при Q=10, при tи<=10мкс 60В

3) Средний прямой ток 100мА

4) Импульсный прямой ток при tи<=10мкс 1000мА

5) Температура перехода +125оС

6) Температура окружающей среды -55…+85оС

Основные электрические параметры диода КД209В:

1) Постоянное и импульсное обратное напряжение 800В

2) Постоянный или средний прямой ток 500мА

3) Температура окружающей среды -60…+85оС

Основные электрические параметры моста КЦ405В:

1) Максимально допустимое обратное напряжение 600В

2) Прямой ток нагрузки 1,5А

Выбор светодиодов

При выборе светодиодов должны выполнятся следующие условия:

1) Iраб<Imax.доп.;

2) Ррабmax.доп.;

3) Uраб.обратное<Uобр.max.доп.;

4) необходимый цвет свечения;

5) соотношение цена / качество.

Делаем выбор в пользу распространенных светодиодов типа АЛ307БМ с красным светом свечения.

Основные электрические параметры светодиодов АЛ307БМ:

1) Постоянное прямое напряжение не более 2В

2) Постоянное обратное напряжение 2В

3) Постоянный прямой ток 20мА

4) Температура окружающей среды -60…+70оС

Выбор конденсаторов

При выборе конденсаторов должны выполнятся следующие основные условия:

1) Uраб<Umax.доп.;

2) Рреакт.раб.<Pреакт.max.доп.;

3) tgδ<tgδдопустимое;

4) точность отклонения параметра (%) должна быть не хуже требуемой;

5) соотношение цена / качество.

Проанализировав необходимые требования делаем выбор в пользу электролитических конденсаторов типа К50–35, в качестве неэлектролитических конденсаторов выбираем конденсаторы типа К10–17.

Выбор резисторов

При выборе резисторов руководствуемся следующими характеристиками:

1) Ррассеяния < Ррассеяния max.доп.;

2) Величина предельного отклонения от номинала не ниже требуемой для данной электрической схемы;

3) Соотношение цена / качество.

Проанализировав эти требования делаем выбор в пользу резисторов типа МЛТ.

Основные электрические параметры резисторов типа МЛТ:

1) Относительная влажность воздуха при температуре +35оС до 98%

2) Предельное рабочее напряжение постоянного и переменного

тока от 200В (для МЛТ – 0,125) до 750В (для МЛТ-3)

3) Минимальная наработка 25000 часов

4) Срок сохроняемости 15лет

5) Температура окружающей среды -60…+70оС

Выбор оптрона

При выборе оптрона руководствуемся следующими условиями:

1) Iдиода<Iдиода max.доп;

2) Uдиода обр.<Uдиода обр.max.доп;

3) Uкэ<Uкэ max.доп;

4) Цена/качество.

Проанализировав электрические параметры оптронов, их конструктивное исполнение и стоимость делаем выбор в пользу оптрона типа 3ОТ110А.

Электрические параметры оптрона 3ОТ110А:

1) Коммутируемое напряжение 30В

2) Напряжение изоляции 100В

3) Обратное входное напряжение 0,7В

4) Постоянный входной ток при Т=-60…+35оС 30мА

5) Амплитуда выходного тока при tи<=10мкс и Т=-60…+35оС 100мА

6) Постоянный выходной ток при Т=-60…+35оС 200мА

7) Амплитуда выходного тока при tи<=10мкс 200мА

8) Средняя рассеиваемая мощность при Т=-60…+35оС 360мВт

9) Температура окружающей среды -60…+70оС

Выбор семистора

При выборе семистора должны выполнятся следующие условия:

1) Iупр.<Iупр.max.доп.;

2) Iнагр.<Imax.доп.;

3) Ррасс.max.доп.;

4) Соотношение цена / качество.

Проанализировав выше указанные требования выбираем симистр типа КУ207Г.

Основные электрические параметры семистра КУ207Г:

1) Постоянное прямое напряжение в закрытом состоянии 200В

2) Постоянное обратное напряжение 200В

3) Постоянный ток в открытом состоянии 10А

4) Постоянный ток в режиме переключения при максимальном

напряжении; ƒ=50Гц 5А

5) Средняя рассеиваемая мощность 20Вт

6) Постоянное обратное напряжение на управляющем электроде 1В

7) Температура окружающей среды -60…+125оС

Выбор стабилитрона

При выборе стабилитрона руководствуемся следующими условиями:

1) Iраб.<Iстаб.max.доп.;

2) Рраб<Рmax.доп.;

3) Соотношение цена / качество;

4) Uраб.<Uнапр.стабилизации..

Из анализа вышеуказанных условий выбираем стабилитрон типа Д814В.

Основные электрические параметры стабилитрона Д814В:

1) Минимальный ток стабилизации 3мА

2) Максимальный ток стабилизации 29мА

3) Рассеиваемая мощность 250мВт

4) Температура окружающей среды -60…+125оС

5) Температура перехода +125оС

Выбор разъёмных соединений и элементов коммутации

При выборе разъёмных соединений и элементов коммутации руководствуются следующими правилами.

1) ток через контактные соединения должен быть меньше максимально допустимого;

2) рабочее напряжение между контактами также должно быть меньше максимально допустимого;

3) масса, габаритные характеристики;

4) соотношение цена / качество.

Исходя из указанных условий выбираем следующие типы разъёмных соединений и коммутационных элементов:

1) тумблеры типа МТ-1 и ТВ-1;

2) разъёмы типа 2РМ3–2.

 

Дата: 2019-07-30, просмотров: 228.