Различают три схемы включения транзистора: с общей базой ОБ, общим эмиттером ОЭ и общим коллектором ОК. (рис 2.7-2.9)

В схеме с ОБ (рис. 2.7) база является общим электродом для входной и выходной цепи. Схема с ОБ обладает усилением по мощности и напряжению U_КБ>U_БЭ, но не обеспечивает усиление тока так как I_Э=I_К. Входное сопротивление схемы с ОБ мало и равно сопротивлению прямосмещенного перехода эмиттер-база. Для схемы с ОБ характерна заданная величина тока эмиттера.

Наиболее распространена схема с ОЭ, в которой эмиттер является общим электродом для входной и выходной цепи (рис 2.8)

Cхема с ОЭ обеспечивает усиление тока так как

I_Б=I_Э-I_K<<I_K=I_Э, (2.2.1)

и следовательно I_К>>I_Б и усиление напряжения, так как U_КЭ>U_БЭ. Входное сопротивление схемы с ОЭ значительно больше входного сопротивления схемы с ОБ и равно:

. (2.2.2)

Варикапы

Варикапы - это полупроводниковые диоды, в которых использовано свойство p-n-перехода изменять барьерную емкость при изменении обратного напряжения. Таким образом, варикап можно рассматривать как конденсатор с электрически управляемой емкостью.

Основными параметрами этих приборов являются емкость, измеренная между выводами варикапа при заданном обратном напряжении, коэффициент перекрытия по емкости - отношение емкости варикапа при двух заданных значениях обратных напряжений, а также добротность - отношение реактивного сопротивления варикапа на заданной частоте сигнала к сопротивлению потерь при заданном значении емкости или обратного напряжения.

Схема включения транзистора с общим коллектором

Схема с общим коллектором обычно применяется для получения высокого входного сопротивления. Коэффициент усиления по мощности данной схемы включения транзистора меньше по сравнению со схемой с общим эмиттером и соизмерим с коэффициентом усиления схемы с общей базой. Это связано с тем, что схема включения транзистора с общим коллектором не усиливает по напряжению. В данной схеме производится усиление только по току. Функциональная схема включения транзистора с общим коллектором приведена на рисунке 3.

Рисунок 3. Функциональная схема включения транзистора с общим коллектором

Оптроны

Оптронами называют такие оптоэлектронные приборы, в которых имеются источник и приемник излучения (светоизлучатель и фотоприемник) с тем или иным видом оптической и электрической связи между ними, конструктивно связанные друг с другом.

Фотодиоды

Фотодиоды - это полупроводниковые фотоэлектрические приборы с одним p - n-переходом и двумя контактами, принцип действия которых основан на использовании внутреннего фотоэффекта. В качестве полупроводниковых материалов используют германий, кремний, селем, арсенид индия, сульфид кадмия и другие. Фотодиод может работать в режиме фотогенератора и в режиме фотопреобразователя. В первом случае, под действием света на зажимах фотодиода создается фото-ЭДС. Такие фотодиоды называют полупроводниковыми фотоэлементами. Во втором случае, в цепь фотодиода включают источник питания, создающий обратное смещение р- n - перехода.

Фототранзисторы

Фототранзи́стор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, вариант биполярного транзистора. Отличается от обычного биполярного транзистора тем, что полупроводниковый базовый слой прибора доступен для воздействия внешнего оптического облучения, за счёт этого ток через прибор зависит от интенсивности этого облучения.

Фототиристоры

Фототири́стор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, имеющий структуру, схожую со структурой обычного тиристора, но отличающийся от последнего тем, что включается не напряжением, а светом, падающим на тиристорную структуру. Этот прибор применяется в управляемых светом выпрямителях и наиболее эффективен в управлении сильными токами при высоких напряжениях. Скорость отклика на свет — менее 1 мкс. Фототиристоры обычно изготавливают из кремния, и спектральная характеристика у них такая же, как и у других кремниевых фоточувствительных элементов.

Разновидностью фототиристора является оптотиристор, в котором источник света — светодиод из арсенида галлия — интегрирован в одном светонепроницаемом корпусе с кремниевой тиристорной структурой.

Фоторезисторы

Фоторезисторы - полупроводниковые приборы, которые имеют два контакта и электрическое сопротивление которых изменяется в зависимости от интенсивности и спектрального состава падающего излучения.

При подключении фоторезистора к источнику питания в электрической цепи проходит небольшой ток I_T, называемый темновым. При освещении фоторезистора ток в цепи возрастает за счет фототока, обусловленного внутренним фотоэффектом. Вольтамперная характеристика, т. е. зависимость фототока от приложенного напряжения при постоянном световом потоке Ф, практически линейна. Параметры фоторезисторов, как и других полупроводниковых приборов, существенно зависят от температуры.

Светодиоды

Светодиоды – этоприборы, излучающие свет, изготовленные с применением полупроводниковых материалов. Благодаря механизму полупроводимости и сопутствующей ему рекомбинации в месте контакта двух полупроводников с разными типами проводимости светодиоды превращают электрический ток, по ним протекающий, в свет, без дополнительных преобразований.

27.Полевые транзисторы с каналом p -типа. Устройство принцип работы схема включения

Принцип действия полевых транзисторов с управляющим переходом заключён в изменении площади сечения канала под воздействием поля, возникающего при подаче напряжения между затвором и истоком. Упрощённая структура полевого транзистора с управляющим переходом и каналом p-типа приведена на рис. 5.3.