Схема простого двотактного безтрансформаторного підсилювача наведена на рисунку 4.
Рисунок 4. Схема простого двотактового безтрансформаторного підсилювача
Складений транзистор у кінцевому каскаді, маючи високий вхідний опір, полегшує роботу передкінцевого каскаду і дозволяє одержати від нього велику амплітуду сигналу.
Методика розрахунку схеми на складених транзисторах цілком збігається з розрахунком простої схеми на комплементарних транзисторах. При цьому використовують параметри складеного транзистора, які можна визначити з наступних співвідношень:
Ом
Ом
Номінальне значення R3=R4=33 Ом.
В
де 
параметри транзисторів VT1, VT2;
параметри транзисторів VT3,VT4;
напруги зсуву транзисторів VT1 і VT3.
Розрахунок починається з визначення параметрів робочої точки: 
В і 
А для режиму В. На вихідних статичних характеристиках обраних транзисторів у координатах 
будується лінія навантаження, що проходить через точки 
і 
-
(12;0)і (0;3);
 |
Рисунок 5.Вихідні та вхідні характеристики транзистора КТ817A
Знаючи необхідну амплітуду напруги в навантаженні 
, визначаємо 
В,
За допомогою вхідної статичної характеристики обраного транзистора, визначаємо:
А,
В, 
В,
мА,
А,
В, 
В,
В, 
В,
мА; 
А,
В;
Постійний струм бази 
визначається зі співвідношення:
А
Оцінюємо задану потужність:
Вт
У схемі з ЗК діє місцевий НЗЗ, глибина якого:
,
де 
Резистори R1, R2 і діод VD ставляться в схемі, якщо вихідний і перед кінцевий каскади розділені конденсатором. Тоді опори R1, R2 приймають однаковими з розрахунку:
,
де 
Ом
мА
Номінальне значення R1=R2=1200 Ом = 1,2 кОм
Розраховуємо потужність, що розсіюється:
Вт;
 |
Діод вибирають таким, щоб спадання напруги на ньому складало
В, при струмі 
мА. Вибираємо два діода типу
Рисунок 6. ВАХ діода КД520
Вхідний опір дорівнює 
, якщо ставиться дільник R1,VD,R2, де 
Ом і 
вхідний опір транзистора, обумовлений за вхідною характеристикою поблизу точки 
.
Ом;
Амплітуда напруги вхідного сигналу дорівнює:
,
де 
В
І амплітуда вхідного струму дорівнює:
А = 17 мА;
Будуємо наскрізну динамічну характеристику транзистора 
. При цьому необхідно враховувати, що для безтрансформаторного каскаду
, де 
Ом.
Таблиця 1.5 Наскрізна динамічна характеристика
| Точки | 
| 
| 
| 
|
| 0 | 0 | 0 | 0,65 | 0,65 |
| 1 | 0,5 | 0,01 | 0,8 | 3,84 |
| 2 | 1 | 0,025 | 0,9 | 7,5 |
| 3 | 1,5 | 0,05 | 1,05 | 12,25 |
| 4 | 1,9 | 0,07 | 1,1 | 15,98 |
В,
В,
В,
В,
В;
Рисунок 7. Наскрізна динамічна характеристика
За цією характеристикою визначають коефіцієнт нелінійних спотворень по третій гармониці 
без обліку впливу НЗЗ.
З урахуванням дії місцевого НЗЗ коефіцієнт нелінійних спотворень по третій гармониці 
. Нелінійні спотворення по другій гармониці в двотактних схемах компенсуються тим краще, чим менше коефіцієнт асиметрії струму (Х) у плечах схеми. У залежності від точності застосовуваних елементів і розкиду параметрів транзисторів Х=0,1…0,5. Тоді 
і, з обліком НЗЗ, 
. Повний коефіцієнт гармонік дорівнює:
;
Ємність розділового конденсатора (при його наявності) визначається за припустимою величиною лінійних спотворень 
(у відносних одиницях) на частоті 
. Величина лінійних спотворень: 
;
мкФ
Номінальне значення - 
мкФ.
Частотні спотворення на нижній граничній частоті будуть рівні:
дБ
Коефіцієнт частотних спотворень на верхній частоті діапазону визначається виразом: 
дБ.
Дата: 2019-07-24, просмотров: 267.
