Расчет схемы термостабилизации
Поможем в ✍️ написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

 

Как было сказано в пункте 7.1.1 в данном усилителе наиболее приемлема эмиттерная термостабилизация поскольку транзистор КТ339А является маломощным, кроме того эмиттерная стабилизация проста в реализации. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 4.1.

Порядок расчета:

1. Выберем напряжение эмиттера , ток делителя  и напряжение питания ;

2. Затем рассчитаем .

Выберем .

Ток делителя  выбирается равным , где - базовый ток транзистора и вычисляется по формуле:

(мА);                                                       

Тогда:

 мА                                                               

Напряжение питания рассчитывается по формуле: (В)

Расчёт величин резисторов производится по следующим формулам:

 (Ом);                                                                          

                                                         

 (кОм);                                      

(кОм);                                                       


8. Искажения вносимые входной цепью

 

Принципиальная схема входной цепи каскада приведена на рис. 8.1.

                                 а)                                                          б)

Рисунок 8.1 - Принципиальная схема входной цепи каскада

 

При условии аппроксимации входного сопротивления каскада параллельной RC-цепью, коэффициент передачи входной цепи в области верхних частот описывается выражением:

,

где ;                                           (8.1)

    ;                                                                 (8.2)

    ;                                             (8.3)

     – входное сопротивление и входная емкость каскада.

Значение  входной цепи рассчитывается по формуле (5.13), где вместо  подставляется величина .

(Ом)

(с)

 

 

9. Расчет Сф, Rф, Ср

 

В принципиальной схеме усилителя предусмотрено четыре разделительных конденсатора и три конденсатора стабилизации. В техническом задании сказано что искажения плоской вершины импульса должны составлять не более 5%. Следовательно каждый разделительный конденсатор должен искажать плоскую вершину импульса не более чем на 0.71%.

Искажения плоской вершины вычисляются по формуле:

,                                                                       (9.1)

где τ и - длительность импульса.

Вычислим τн:

 

Тогда:

τн и Ср связаны соотношением:

,                                                           (9.2)

где Rл, Rп - сопротивление слева и справа от емкости.

Вычислим Ср. Сопротивление входа первого каскада равно сопротивлению параллельно соединенных сопротивлений: входного транзисторного, Rб1 и Rб2.

Rп=Rвх||Rб1||Rб2=628(Ом)

(Ф);

Сопротивление выхода первого каскада равно параллельному соединению Rк и выходного сопротивления транзистора Ri.

Rл=Rк||Ri=90,3(Ом)

Rп=Rвх||Rб1||Rб2=620(Ом)

(Ф);

Rл=Rк||Ri=444(Ом)

Rп=Rвх||Rб1||Rб2=48(Ом)

(Ф);

Rл=Rк||Ri=71(Ом)

Rп=Rн =75(Ом)

(Ф);

где Ср1 - разделительный конденсатор между Rг и первым каскадом, С12 - между первым и вторым каскадом, С23 - между вторым и третьим, С3 - между оконечным каскадом и нагрузкой. Поставив все остальные емкости по 479∙10-9Ф, мы обеспечим спад, меньше требуемого.

 

Вычислим Rф и Сф (U=1В):

                                                 (9.3)

(Ом)

(Ф)        (9.4)


10. Заключение

 

В данном курсовом проекте разработан импульсный усилитель с использованием транзисторов 2Т602А, КТ339А, имеет следующие технические характеристики:

- верхняя граничная частота 14МГц;

- коэффициент усиления 64 дБ;

- сопротивление генератора и нагрузки 75 Ом;

- напряжение питания 18 В.

 

Схема усилителя представлена на рисунке 10.1.

Рисунок 10.1 - Схема усилителя

 

При вычислении характеристик усилителя использовалось следующее программное обеспечение: MathCad, Work Bench.

 





Литература

 

1. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник/ А.А. Зайцев, А.И. Миркин, В.В. Мокряков и др. Под редакцией А.В. Голомедова.-М.: Радио и Связь, 1989.-640с.

2. Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах. Учебно-методическое пособие по курсовому проектированию для студентов радиотехнических специальностей / А.А. Титов, Томск: Том. гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, 2002. - 45с.

 

Дата: 2019-07-24, просмотров: 193.