Минимизация логической функции.
Поможем в ✍️ написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

Составить СДНФ по таблице, построить карты Карно и минимизировать их.

 

1 1
1
1 1
1

 

 

1 1
1 1 1
1

 

 

1 1 1
1 1

 

 

1 1
1 1 1
1


 

1 1
1 1
1


1 1
1 1
1


 

1 1
1
1 1 1


1.4. Выбор и обоснование функциональной схемы устройства.

 

1.5. Синтез электрической принципиальной схемы





В базисе «И-НЕ».

 

Можно уменьшить количество наименований схем. Это можно сделать путем преобразования с помощью формул:

В результате получаем только схемы “И-НЕ” и схемы отрицания

 

 

 

Повторяющиеся значения формул СДНФ

 

 

Выбор и обоснование элементной базы.

 

Для проектирования было предложено выбрать элементы ТТЛ серий 155 и 555. После сравнения характеристик этих двух серий мною была выбрана 555 серия.

Потому что:

¾ во-первых, коэффициент разветвления у неё в два раза больше, чем у 155 серии, что в дальнейшем даст возможность не использовать дополнительные резисторы на входе схемы

¾ во-вторых, элементы 555 серии потребляют меньше мощности в отличие от серии 155, так как их максимальное напряжение и сила тока меньше, чем у 155 серии.

В 555 серию входят различные логические элементы общим числом 98 наименований. Их назначение заключается в построении узлов ЭВМ и устройств дискретной автоматики с высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью.

Элементы И – НЕ в 555 серии содержат простые n-p-n транзисторы VT2 – VT4, многоэмиттерный транзистор VT1, а так же резисторы и диоды, количество которых зависит от конкретного элемента. Такая схема обеспечивает возможность работы на большую емкостную нагрузку при высоком быстродействии и помехоустойчивости.

В качестве индикатора выбран семисегментный индикатор АЛС320Б, один из немногих индикаторов способный отображать не только цифровую информацию, но и буквенную, что необходимо в проектируемом устройстве.

В моей схеме используется следующие микросхемы серии К555:

К555ЛА1, К555ЛА2, К555ЛА4, К555ЛН1, К555ЛН2



Описание используемых в схеме ИМС и семисегментного индикатора.

 

К555ЛА1

Два логических элемента 4И-НЕ

 

№ выв. Назначение № выв. Назначение
1 2 3 4 5 6 7 Вход Х1 Вход Х2 Свободный Вход Х3 Вход Х4 Выход Y1 Общий 8 9 10 11 12 13 14 Выход Y2 Вход Х5 Вход Х6 Свободный Вход Х7 Вход Х8 Ucc

 

 

     

 

 



DIP14

Пластик

 

 


Тип микросхемы К555ЛА1
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности 2 элемента 4И-НЕ
Uпит 5В ± 5%
Uпит (низкого ур-ня) ≤ 0,5В
Uпит (высокого ур-ня) ≥ 2,7В
Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) ≤ 2,2мА
Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) ≤ 0,8мА
Iвых (низкого ур-ня) ≤ |-0.36|мА
Iвых (высокого ур-ня) ≤ 0,02мА
P 7,88мВт
tзадержки 20нСек
Kразвёртки 20
Корпус DIP14

К555ЛА2

Логический элемент 8И-НЕ

 

№ выв. Назначение № выв. Назначение
1 2 3 4 5 6 7 Вход Х1 Вход Х2 Вход Х3 Вход Х4 Вход Х5 Вход Х6 Общий 8 9 10 11 12 13 14 Выход Y1 Свободный Свободный Вход Х7 Вход Х8 Свободный Ucc

 

     

 



DIP14

Пластик

 

 


Тип микросхемы К555ЛА2
Фирма производитель СНГ
Функциональные особенности элемент 8И-НЕ
Uпит 5В ± 5%
Uпит (низкого ур-ня) ≤ 0,5В
Uпит (высокого ур-ня) ≥ 2,7В
Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) ≤ 1,1мА
Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) ≤ 0,5мА
Iвых (низкого ур-ня) ≤ |-0,4|мА
Iвых (высокого ур-ня) ≤ 0,02мА
P 4,2мВт
tзадержки 35нСек
Kразвёртки 20
Корпус DIP14

К555ЛА4

Дата: 2019-07-24, просмотров: 170.