Составить СДНФ по таблице, построить карты Карно и минимизировать их.
1 | 1 | |||
1 | ||||
1 | 1 | |||
1 |
1 | 1 | |||
1 | 1 | 1 | ||
1 |
1 | 1 | 1 | ||
1 | 1 | |||
1 | 1 | |||
1 | 1 | 1 | ||
1 |
1 | 1 | |||
1 | 1 | |||
1 |
1 | 1 | |||
1 | 1 | |||
1 |
1 | 1 | |||
1 | ||||
1 | 1 | 1 | ||
1.4. Выбор и обоснование функциональной схемы устройства.
|
1.5. Синтез электрической принципиальной схемы
В базисе «И-НЕ».
Можно уменьшить количество наименований схем. Это можно сделать путем преобразования с помощью формул:
В результате получаем только схемы “И-НЕ” и схемы отрицания
Повторяющиеся значения формул СДНФ
Выбор и обоснование элементной базы.
Для проектирования было предложено выбрать элементы ТТЛ серий 155 и 555. После сравнения характеристик этих двух серий мною была выбрана 555 серия.
Потому что:
¾ во-первых, коэффициент разветвления у неё в два раза больше, чем у 155 серии, что в дальнейшем даст возможность не использовать дополнительные резисторы на входе схемы
¾ во-вторых, элементы 555 серии потребляют меньше мощности в отличие от серии 155, так как их максимальное напряжение и сила тока меньше, чем у 155 серии.
В 555 серию входят различные логические элементы общим числом 98 наименований. Их назначение заключается в построении узлов ЭВМ и устройств дискретной автоматики с высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью.
Элементы И – НЕ в 555 серии содержат простые n-p-n транзисторы VT2 – VT4, многоэмиттерный транзистор VT1, а так же резисторы и диоды, количество которых зависит от конкретного элемента. Такая схема обеспечивает возможность работы на большую емкостную нагрузку при высоком быстродействии и помехоустойчивости.
В качестве индикатора выбран семисегментный индикатор АЛС320Б, один из немногих индикаторов способный отображать не только цифровую информацию, но и буквенную, что необходимо в проектируемом устройстве.
В моей схеме используется следующие микросхемы серии К555:
К555ЛА1, К555ЛА2, К555ЛА4, К555ЛН1, К555ЛН2
Описание используемых в схеме ИМС и семисегментного индикатора.
К555ЛА1
Два логических элемента 4И-НЕ
№ выв. | Назначение | № выв. | Назначение |
1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Вход Х2 Свободный Вход Х3 Вход Х4 Выход Y1 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y2 Вход Х5 Вход Х6 Свободный Вход Х7 Вход Х8 Ucc |
DIP14
Пластик
Тип микросхемы | К555ЛА1 |
Фирма производитель | СНГ |
Функциональные особенности | 2 элемента 4И-НЕ |
Uпит | 5В ± 5% |
Uпит (низкого ур-ня) | ≤ 0,5В |
Uпит (высокого ур-ня) | ≥ 2,7В |
Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) | ≤ 2,2мА |
Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) | ≤ 0,8мА |
Iвых (низкого ур-ня) | ≤ |-0.36|мА |
Iвых (высокого ур-ня) | ≤ 0,02мА |
P | 7,88мВт |
tзадержки | 20нСек |
Kразвёртки | 20 |
Корпус | DIP14 |
К555ЛА2
Логический элемент 8И-НЕ
№ выв. | Назначение | № выв. | Назначение |
1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Вход Х2 Вход Х3 Вход Х4 Вход Х5 Вход Х6 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y1 Свободный Свободный Вход Х7 Вход Х8 Свободный Ucc |
DIP14
Пластик
Тип микросхемы | К555ЛА2 |
Фирма производитель | СНГ |
Функциональные особенности | элемент 8И-НЕ |
Uпит | 5В ± 5% |
Uпит (низкого ур-ня) | ≤ 0,5В |
Uпит (высокого ур-ня) | ≥ 2,7В |
Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) | ≤ 1,1мА |
Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) | ≤ 0,5мА |
Iвых (низкого ур-ня) | ≤ |-0,4|мА |
Iвых (высокого ур-ня) | ≤ 0,02мА |
P | 4,2мВт |
tзадержки | 35нСек |
Kразвёртки | 20 |
Корпус | DIP14 |
К555ЛА4
Дата: 2019-07-24, просмотров: 198.