Интерфейс пользователя состоит из полоски меню, панели инструментов и рабочей области (рис. 1).

Полоса меню состоит из следующих компонент: меню работы с файлами (File), меню редактирования (Edit), меню элементов схемы (Component), меню работы с окнами (Window), меню настроки программы (Options), меню анализа схем (Analysis), меню справки (Help).

Рис. 1. Окно программы Micro-Cap

Сборка схем. Сборка осуществляется выбором соответствующих элементарных элементов из меню Component (компоненты) и их последующим соединением.

Для того чтобы повернуть элемент на 90⁰, необходимо при нажатой правой кнопки мыши нажать левую или выделить с помощью  область, в которой находится этот элемент, и использовать Edit\Box\Rotate (Редактирование\операции с блоком\повернуть блок), Edit\Box\Flip_X (Редактирование\операции с блоком\отразить по Х) или Edit\Box\Flip_Y (Редактирование\операции с блоком\отразить по Y), или нажать на панели соответствующие кнопки на панели инструментов. Значения параметров компонентов задаются при их создании в Окне Атрибутов (рис.2). Параметры резисторов приведены в таблице 1.

Рис. 2. Окно Атрибутов: выбор параметров резистора.

Таблица 1.

Параметры резисторов

Пользователь должен выбрать параметр VALUE (Величина) и в поле Value (Величина) указать его значение (для пассивных элементов). Выбор транзисторов (активных элементов) осуществляется из заданного перечня или вводится название модели в окне ввода (рис.3).

Параметры транзисторов приведены в таблице 2.

Рис. 3 Окно выбора параметров транзисторов.

Таблица 2.

Параметры транзисторов

Обозначение параметра	Параметр	Значение по умолчанию	Единица измерения
IS	Ток насыщения при температуре 27°С	1E-16	А
BF	Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки)	100
BR	Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ	1
NF	Коэффициент эмиссии (неидеальности) для нормального режима	1
NR	Коэффициент эмиссии (неидеальности) для инверсного режима	1
ISE*	Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер	0	А
ISC*	Ток насыщения утечки перехода база-коллектор	0	А
ISS	Ток насыщения p-n перехода подложки	0	А
NS	Коэффициент эмиссии тока p-n-перехода подложки
IKF*	Ток начала спада зависимости BF oт тока коллектора в нормальном режиме	¥	А
IKR*	Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме	¥	А
NE*	Коэффициент эмиссии тока утечки эмиттерного перехода	1,5
NC*	Коэффициент эмиссии тока утечки коллекторного перехода	2
NK	Коэффициент перегиба при больших токах	0.5
VAF	Напряжение Эрли в нормальном режиме	¥	В
VAR*	Напряжение Эрли в инверсном режиме	¥	В
RC	Объемное сопротивление коллектора	0	Ом
RE	Объемное сопротивление эмиттера	0	Ом
RB	Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер	0	Ом
RBM*	Минимальное сопротивление базы при больших токах	RB	Ом
IRB*	Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM	¥	А
TF	Время переноса заряда через базу в нормальном режиме	0	с
TR	Время переноса заряда через базу в инверсном режиме	0	с
XTF	Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор	0
VTF	Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор	¥	В
ITF	Ток, характеризующий зависимость ТF от тока коллектора при больших токах	0	А
PTF	Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора	0	град.
CJE	Емкость эмитгерного перехода при нулевом смещении	0	пФ
VJE (РЕ)	Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер	0,75	В
MJE (ME)	Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода	0,33
CJC	Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении	0	Ф
VJC (PC)	Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор	0,75	В
MJC(MC)	Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода	0,33
CJS (CCS)	Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении	0	Ф
VJS (PS)	Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка	0,75	В
MJS (MS)	Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка	0
XCJC	Коэффициент расщепления барьерной емкости база-коллектор по отношению к внутренней базе	1	~
FC	Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов	0,5
EG	Ширина запрещенной зоны	1,11	эВ
XTB	Температурный коэффициент BF и ВR	0	—
XTI(PT)	Температурный экспоненциальный коэффициент для тока IS	3	—
TRE1	Линейный температурный коэффициент RE	0	°C-1
TRE2	Квадратичный температурный коэффициент RЕ	0	°C-2
TRB1	Линейный температурный коэффициент RВ	0	°C-1
TRB2	Квадратичный температурный коэффициент RB	0	°C-2
TRM1	Линейный температурный коэффициент RВМ	0	°C-1
TRM2	Квадратичный температурный коэффициент RВМ	0	°C-2
TRC1	Линейный температурный коэффициент RС	0	°C-1
TRC2	Квадратичный температурный коэффициент RС	0	°C-2
KF	Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума	0
AF	Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход	1
T_MEASURED	Температура измерений	—	°С
T_ABS	Абсолютная температура	—	°С
T_REL_GLOBAL	Относительная температура	—	°C
T_REL_LOCAL	Разность между температурой транзистора и модели-прототипа		°C
* Для модели Гуммеля-Пуна.

При необходимости параметры транзисторов можно редактировать в окне Text, где располагается текстовая математическая модель компонента (в данном случае транзистора). Текстовое окно включается с помощью кнопки в правом нижнем углу окна.

Для удобства редактирования можно окно разделить на две части (вертикальные или горизонтальные) – меню Windows/Split Horizontal (Vertical).

Для соединения элементов между собой используются кнопки . Первая соединяет элементы связями только под прямым углом, вторая – под произвольным. MicroCap автоматически нумерует точки, в которых могут быть разные потенциалы. Чтобы просмотреть эту нумерацию надо кликнуть на . Для того, чтобы позже можно было проще анализировать схемы, необходимо отметить точки, которые будут использоваться для анализа. Для этого надо инструментом  поставить текстовую метку так, чтобы ее левый нижний угол оказался на отмечаемой точке.

Источники сигналов. Для того чтобы задать или изменить параметры источника сигналов необходимо кликнуть инструментом  на соответствующий источник на схеме. В появившемся окне автоматически будет выбрана строчка, в которой задаются параметры данного источника. Для источника синусоидального сигнала это: F – частота, А – амплитуда. Выход из этого окна осуществляется нажатием на   в нижнем левом углу окна.

Для источника импульсных сигналов: VZERO – начальное значение, VONE – максимальное значение, p1 – начало переднего фронта, p2 – начало плоской вершины импульса, p3 – конец плоской вершины импульса, p4 – достижение начального уровня, p5 – период повторения. Последние пять параметров задаются в секундах.

Представление чисел. Представление в Micro-Cap возможно в одной из трех нотаций.

1) Действительные числа с фиксированным десятичным знаком.

2,5 кОм записывается как 2500

1 мкФ записывается как 0.000001

Обратим внимание, что в качестве разделителя десятичных разрядов используется точка.

2) Действительные числа с плавающим десятичным знаком

2,5 кОм записывается как 2.5e3

1мкФ записывается как 1e-6

3) Действительные числа с плавающим десятичным знаком. Согласно этой нотации различные степени 10 обозначаются следующими суффиксами.

Для экономии места на графиках малая буква “m” обозначает 10^-3, большая буква “M” - 10⁶.

При этом большие и малые буквы не различаются. Сопротивление 1,5 МОм может быть записано как 1.5MEG, 1.5meg, 1500K.