Раздел 3 Память микропроцессорной системы
Поможем в ✍️ написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

Тема 3.1 Основные характеристики полупроводниковой памяти

 

Емкость памяти

Емкость памяти-определяется числом бит хранимой информации. Емкость кристалла обычно выражается также в битах и составляет 1024 бита, 4К бит, 16 К бит, 64К бит и т.п. Важной характеристикой кристалла является информационная организация кристалла памяти M x N, где M - число слов, N - разрядность слова.

Временные характеристики памяти.

· Время доступа - временной интервал, определяемый от момента, когда процессор выставил на шину адреса адрес требуемой ячейки памяти и послал по шине управления приказ на чтение или запись данных, до момента осуществления связи адресуемой ячейки с шиной данных.

· Время восстановления - это время, необходимое для проведения памяти в исходное состояние после того, как ЦП снял с ША адрес, ШУ - сигнал “чтение” или “запись” и с ШД - данные.

· —Скорость передачи – скорость с которой данные могут передаваться в память или из неё.

Зависит от времени доступа, величины порции данных, которая записывается или считывается за одно обращение, параметров линии связи.

Стоимость хранения единицы (одного бита) информации. Чем выше быстродействие ЗУ, тем выше их стоимость.

—3. Метод доступа к данным в ЗУ.

Различают четыре основных метода доступа:

· —Последовательный доступ. В таких ЗУ информация хранится в виде последовательности блоков данных, называемых записями. Для доступа к нужному слову необходимо прочитать все предшествующие ему данные, причем время доступа зависит от положения требуемой записи в последовательности записей на носителе (ЗУ на магнитной ленте).

· —Прямой доступ. Каждая запись имеет уникальный адрес, отражающий ее физическое размещение на носителе информации. Обращение осуществляется как адресный доступ к началу записи, с последующим последовательным доступом к определенной единице информации внутри записи. В результате время доступа к определенной позиции является величиной переменной (ЗУ на магнитных дисках).

· —Произвольный доступ. Обращение к любой ячейке памяти занимает одно и то же время и может производиться в произвольной очередности (основная память).

· —Ассоциативный доступ. Это поиск ячеек памяти, содержащих такую информацию, в которых значение отдельных битов совпадает с состоянием отдельных битов в заданном образце.

Тема 3.2  Постоянн о е запоминающ е е устройств о

Кроме оперативной памяти, под термином "память" мы будем подразумевать постоянную и CMOS - память.

К постоянной памяти относят постоянное запоминающее устройство, ПЗУ (в англоязычной литературе - Read Only Memory, ROM, что дословно перводится как "память только для чтения"), перепрограммируемое ПЗУ, ППЗУ (в англоязычной литературе – Programmable Read Only Memory, PROM), и флэш-память (flash memory). Название ПЗУ говорит само за себя. Информация в ПЗУ записывается на заводе-изготовителе микросхем памяти, и в дальнейшем изменить ее значение нельзя. В ПЗУ хранится критически важная для компьютера информация, которая не зависит от выбора операционной системы. Программируемое ПЗУ отличается от обычного тем, что информация на этой микросхеме может стираться специальными методами (например, лучами ультрафиолета), после чего пользователь может повторно записать на нее информацию. Эту информацию будетневозможно удалить до следующей операции стирания информации.

Флэш-память.

Особо следует рассказать о флэш-памяти. Flash по-английски – это "вспышка, проблеск". Флэш-память является энергонезависимой памятью, (как и ПЗУ и ППЗУ). При выключении компьютера ее содержимое сохраняется. Однако содержимое flash-памяти можнр многократно перезаписывать, не вынимая ее из компьютера (в отличие от ППЗУ). Запись происходит медленнее, чем считывание, и осуществляется импульсами повышенного напряжения. Вследcтвие этого, а также из-за ее стоимости, флэш память не заменит микросхемы ОЗУ.

CMOS-память.

CMOS-память – энергозависимая, перезаписываемая память, которая при своей работе , однако, почти не потребляет энергии. CMOS переводится как complementary metal oxode semiconductor – "комплиментарный металл - оксид - полупроводниковый". Достоинства этой памяти – низкое потребление энергии, высокое быстродействие. В CMOS - памяти компьютера находятся важные для его работы настройки, которые пользователь может менять для оптимизации работы компьютера. Питается эта память от небольшого аккумулятора, встроенного в материнскую плату.

Дата: 2019-02-19, просмотров: 264.