Структура ЭВМ с канальной организацией показана на рис. 1.

Центральным элементом машины является память ОП, которая хранит программы центрального процессора и каждого из каналов, являющихся процессорами ввода-вывода, работающими параллельно с центральным процессором по собственной программе, выбираемой из основной памяти. Различают каналы: селекторный – управляет только одним устройством и применяется для подключения быстрых устройств; мультиплексный – управляет несколькими более медленными внешними устройствами.

При данной организации все еще очень большое количество связей. Большая специализация процессоров различного типа затрудняет их интегральное исполнение. Такая организация применялась в машинах третьего и частично четвертого поколений.

Структура ЭВМ с шинной организацией показана на рис. 2

Данная организация ЭВМ предложена для разгрузки шины, связывающей процессор с памятью, и как следствие – повышения производительности и надежности работы ЭВМ.

 При такой организации используются различные магистрали для связи ЦП с памятью и с внешними устройствами. Соответственно, используются различные адресные пространства для обращения к памяти и ВУ. Это требует выделения специальной группы команд ввода- вывода в системе команд процессора:

ADD AX, 100 ; адресуется ячейка памяти 100

IN AX, 100 ; адресуется внешнее устройство с номером 100

Шина прямого доступа к памяти (ПДП) используется для связи ВУ и памяти без участия процессора.

При канальной организации каждое устройство или группа устройств сидят на своем канале ввода/вывода, и таких каналов много. При шинной организации все устройства сидят на одной (иногда двух) шинах.

При канальной организации устройства в канале обычно включаются последовательно, при шинной всегда параллельно.

Шинная организация обычно дешевле, канальная обычно имеет большую суммарную пропускную способность.

В реальной жизни в реальной системе обычно присутствует и то и другое.

Устройства памяти и где они используются в ЭВМ.

Память (аналогия с мозгом) – способность накапливать и хранить инфу.

· RAM (Random Access Memory) – ОЗУ

o DRAM

§ CMOS RAM

· RTC CMOS RAM (Real Time Clock) (бат-ка)

§ EDO DRAM (Extended Data Out, усоверш. FPM, для PI)

§ FPM DRAM (Fast Page Mode)

§ SDRAM

· RDRAM (Rambus) (1-4Гб/с) (сейчас в PS-2)

· DDR(I...III) SDRAM

o Совр. оператива    (PC2700[Мб/с]/DDR333)

§ GDDR (I..V) (Видео-память)

§ VRAM (Old –видео ОЗУ)

§ WRAM (Old –видео ОЗУ для Win)

o SRAM

§ Кеш

· ROM (Read Only Memory) – ПЗУ

o CD/DVD

o HDD

o Голография

o Твердотельная

§ EDROM (erasable programming)

§ UV-PROM

§ EEPROM

· Flash

o NOR – (туннелирование, 1 – низк напр., инд контакт к каждому транзистору) [flash-BIOS, sim. Быстрое выборочное чтение]

o NAND – круче, лучше по структуре. [скорость и ёмкость]

· SDD

o Энергозависимая [RAM SSD]

o Энергонезависимая [NAND, flash SSD]