ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА
Методические указания к выполнению курсовой работы для технических специальностей заочной формы обучения
(вариант II)
Составитель: А.Э. Сидорова, ассистент
Тюмень
ТИУ
2017
Электроника и схемотехника: методические указания к выполнению курсовой работы (вариант II) для студентов технических специальностей заочной формы обучения / сост. А. Э. Сидорова; Тюменский индустриальный университет.– Тюмень: Издательский центр БИК, ТИУ, 2017.– 26 с.
Методические указания рассмотрены и рекомендованы к изданию на заседании кафедры кибернетических систем
«_____» _____________ 2016 года, протокол №___.
Аннотация
Методические указания к выполнению курсовой работы (вариант II) предназначены для студентов, обучающихся по техническим специальностям. Дисциплина изучается в одном или двух семестрах.
Приведено содержание части упрощенного инженерного расчета автогенератора с мостом Вина, работающего на низкоомную нагрузку, в приложениях приведено содержание курсовой работы, вид титульного листа, ряды номинальных базовых электронных элементов.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение 4
1. Правила выбора темы курсовой работы 5
2. Типовая структура и требования к содержанию ее разделов 5
3. Рекомендации по выполнению отдельных разделов курсовой работы 6
4. Примерные нормы времени на выполнение работы 21
5. Требования к оформлению работы 21
6. Порядок защиты работы, критерии оценки 21
7. Список рекомендуемой литературы 22
Приложение А 23
Приложение Б 24
Приложение В 25
Введение
Назначение методических указаний
В курсовой работе производится выполнение упрощенного инженерного расчета автогенератора с мостом Вина.
Основными задачами выполнения курсовой работы является формирование у обучающихся необходимых знаний основных электротехнических законов и методов инженерного расчета автогенератора с мостом Вина, работающего на низкоомную нагрузку. Упрощенный инженерный расчет предполагает проведение самых простых алгебраических вычислений.
В результате выполнения курсовой работы студент должен
знать:
- принципы работы основных электрических узлов и схем, особенности их применения, их рабочие характеристики;
- элементную базу современных полупроводниковых устройств;
- базовые элементы электроники, их свойства и сравнительные характеристики;
- параметры и характеристики полупроводниковых приборов.
уметь:
- читать электрические и электронные схемы;
- использовать пакеты прикладных программ для произведения инженерных и прочих расчетов, такие как Mathcad.
владеть:
- методами инженерных расчетов для различных электронных узлов и устройств;
- способность анализировать работу электронных схем в нормальном режиме;
- умением принимать решения при выборе и анализе различных электронных элементов.
Рекомендации по выполнению отдельных разделов курсовой работы
Выбор блок-схемы
Автономный источник синусоидальных колебаний, работающий в режиме самовозбуждения, называется генератором. Он является преобразователем энергии источника питания в энергию колебаний переменного тока требуемой частоты.
RC-генераторами называются автогенераторы, частота входных колебаний которых определяется цепями, состоящими из сопротивлений и емкостей.
Структурная схема RC-автогенератора с мостом Вина может быть представлена в виде замкнутой системы.
Рис. 1 Блок-схема автогенератора с мостом Вина
Источник питания (на схеме не обозначен);
Ø Цепь Вина (ЦВ) используется как частотозадающая цепь и ЦПОС –цепь положительной обратной связи;
Ø Эмиттерный повторитель (ЭП) служит для согласования фазирующей цепи с усилителем напряжения по сопротивлению;
Ø Усилители напряжения (УН№1, УН№2) обеспечивают баланс фаз и баланс амплитуд (при введении нелинейной отрицательной обратной связи, ЦООС –цепь отрицательной обратной связи).
Расчет элементов используемых в схеме
Перед тем как начать расчет усилителей напряжения необходимо рассчитать входное сопротивление моста Вина, учесть отрицательную обратную связь, которую мы вводим для стабилизации коэффициента усиления, а значит и выходного сигнала.
Цепь Вина
Рис. 2 Принципиальная электрическая схема цепи Вина
Перед тем как начать расчет усилителя напряжения нам надо рассчитать входное сопротивление моста Вина, учесть отрицательную обратную связь, которую мы вводим для стабилизации коэффициента усиления, а значит и выходного сигнала.
Изменение частоты производится дискретно (грубо) с помощью конденсаторов и плавно с помощью переменных резисторов.
Входное сопротивление моста Вина определяется следующим образом:
На частоте квазирезонанса следовательно:
Выходное сопротивление моста Вина определяется:
На частоте квазирезонанса
Нагрузкой для моста Вина является эмиттерный повторитель на транзисторах VT1 и VT2 , поэтому предположим, что входное сопротивление эмиттерного повторителя будет максимально большим – в пределах от 150 до 250 кОм. Для того, чтобы Rвхп не шунтировало мост Вина:
(Ом)
(Ом)
Примем значения сопротивлений резисторов цепи Вина R1 и R3, равными максимальному значению сопротивления цепи Вина (RmaxЦВ), а значения R2 и R4, равными минимальному значению (RmixЦВ).
R1=R3= (Ом), а R2=R4= (Ом).
Определим значение выходного сопротивления цепи Вина:
(Ом)
(Ом)
Определим значение входного сопротивления цепи Вина:
(Ом)
(Ом)
Рассчитаем ёмкости C1÷С12:
1. Для первого диапазона (X) Гц ¸ (10X) Гц, (Х=fн из технического задания), при R1+R2= Ом :
(Ф),
принимаем = (Ф)
Пересчитаем значения первого частотного диапазона в соответствии с принятыми значениями емкостей конденсаторов С1,С2:
(Ф), (Ф)
2. Для второго диапазона (10X) Гц ¸ (100X) Гц:
(Ф)
принимаем C3=C4= (Ф)
Пересчитаем значения второго частотного диапазона в соответствии с принятыми значениями емкостей конденсаторов С3,С4:
(Ф), (Ф)
3. Для третьего диапазона (100X) Гц ¸ (1000X) Гц:
(Ф)
принимаем C5=C6= (Ф)
Пересчитаем значения третьего частотного диапазона в соответствии с принятыми значениями емкостей конденсаторов C5=C6:
(Ф), (Ф)
Определим токи, протекающие в резисторах:
(А)
(А)
Предварительный усилитель
Рис. 3 Принципиальная электрическая схема предварительного усилителя
Этот усилитель выполняет две основные функции:
à обеспечивает баланс фаз
à обеспечивает коэффициент усиления ³ 3
Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT4.
Усилитель напряжения работает на нагрузку, на мост Вина, на ООС.
Uвых.у = Uн ус. напр = (В)
Рассчитаем скорректированное значение сопротивления нагрузки двухкаскадного усилителя:
Rн ус. напря скоррект = RООС||RвхЦВmin.||Rн ус. напр (Ом)
Определим ток в нагрузке:
(А)
Зададимся IKmin4 и UКЭmin4 :
(мА)
(В)
Определим IKMAX4:
IKmax4 = (2~5) ∙ (2·IH4 + IKmin4) (А)
Определим l4 :
Определим напряжение питания:
Зададимся g4 = 0,05
(В)
Принимаем ЕК = (В)
Пересчитаем g4
Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT4:
(Ом)
Принимаем R16 = (Ом)
Определим падение напряжения на резисторе R17 и величину напряжения, до которого зарядится конденсатор С20:
UR17 = EK · g4 (В)
UC20 = ∙Uвых.у. + UКЭmin4 + UR17 (В)
Определим покоя транзистора VT4 - IП4:
(мА)
Определим напряжение на участке коллектор-эмиттер транзистора VT4 - UКЭ4:
UКЭ4 = EK – (IП4+ IKmin4) ∙ R16 - UR17 (В)
Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT4:
PКДОП = IП4 · UКЭ4 (Вт)
Выбираем транзистор VT4, соответствующий по мощности (должна не менее чем в два раза превышать расчетную PКдоп), напряжению на участке коллектор – эмиттер (должно быть больше), основные характеристики сводим в таблицу вида:
| Модель | Тип | P, Вт | Uкэ доп, В | Ikmax, A | βmin | Iко, мА |
VT4 |
|
|
|
|
|
|
Так как значение Ik0 сильно отличается от IKmin4, то произведем перерасчет с учетом того, что IKmin4= Iko=30 мкА
Определим максимальный ток коллектора транзистора VT4 - IKmax4 :
IKmax4 = (2~5) ∙· (2·IH4 + IKmin4) (мА)
Определим ток базы транзистора VT4:
(мА)
Определим резистор в цепи эмиттера:
(Ом) По ряду Е24 принимаем R17= Ом.
Определим ток делителя:
IД = (2~5)· IБ4 (мА)
Определим значения сопротивлений резисторов делителя базы:
UR16=R16∙( ) (В)
(Ом)
Принимаем R14= (Ом)
UБЭ4= -R14∙( ) (В)
(Ом)
Принимаем R15= (Ом)
(А)
Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера:
(Ф)
Принимаем С19 = (мкФ)
Определим коэффициент усиления каскада на транзисторе VT4:
,
где значение сопротивления в области базы примем rБ4 = 400 (Ом).
(Ом)
Rк~4 = RH4 || R16 (Ом)
Определим входное и выходное сопротивления каскада на транзисторе VT4:
RВХ4= R14 || R15 || (rБ4 + rЭ4· (1+b4)) (Ом)
rК4 = (Ом)
RВЫХ4 = rK4 || R16 (Ом)
Определим входное напряжение каскада на транзисторе VT4:
(В)
Рассчитаем элементы, относящиеся к усилительному каскаду на транзисторе VT3.
. = Uвх4 (В)
Rн ус.наVT3 = RВХ4= (Ом)
Определим ток в нагрузке:
(мА)
Зададимся значениями тока и напряжения IKmin3 и UКЭmin3:
(мА)
(В)
Определим максимальное значение тока коллектора транзистора VT3 - IKMAX3 :
IKmax3 = (2~5) · (2·IH3 + IKmin3) (мА)
Определим величину :
Определяем значение сопротивления резистора в цепи коллектора транзистора VT3:
(Ом)
Принимаем R11 = (Ом)
Определим падение напряжения на разделительном конденсаторе С17:
UC17 = ∙ . + UКЭmin3 + UR12 (В)
Определим ток покоя транзистора VT3IП3 :
(мА)
Определим значения напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT3:
UКЭ3 = EK – (IП3+ IKmin3)· R11 - UR12 ( В )
Определим допустимую мощность, рассеиваемую на транзисторе VT3:
PКДОП = IП3 · UКЭ3 (Вт)
Выбираем транзистор VT3, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:
| Модель | Тип | P, Вт | Uкэ доп, В | Ikmax, A | βmin | Iко, мА |
VT3 |
|
|
|
|
|
|
Определим ток базы транзистора VT3:
(мА)
Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера:
(Ом)
По ряду Е24 принимаем R12= (Ом)
Определим ток делителя:
IД = (2~5)· Iб3 (мА)
Определим значение сопротивлений резисторов делителя базы:
UR11=R11∙( ) (В)
(Ом)
Принимаем R10= (Ом)
UБЭ3= -R10∙( ) (В)
(Ом)
Принимаем R9= (Ом)
(А)
Определим значение емкости конденсатора в цепи эмиттера :
(Ф)
Принимаем С16 = (Ф)
Определим коэффициент усиления каскада (без ООС) на транзисторе VT3:
где: rБ3 = 400 (Ом)
(Ом)
RK~3 = RH3 || R11 (Ом)
Определим входное сопротивление каскада на транзисторе VT3:
RВХ3=R10||R9||(rб3+rэ3 (1+b3)) (Ом)
Определим выходное сопротивление каскада на транзисторе VT3:
rК3 = (Ом)
RВЫХ4 = rK3 || R11 (Ом)
Определим общий коэффициент усиления каскадов:
K=K3∙K4
Определим входное напряжение предварительного усилителя:
(В)
3.4 Эмиттерный повторитель №1 на транзисторах VT 2, VT 1
Рис.8 Принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя №1 на транзисторах VT2, VT1
Нагрузкой этого эмиттерного повторителя является предварительный усилитель, поэтому:
UН = UBX.У= (В)
RН = RВХ.3= (Ом)
Примем значение тока покоя транзистора VT2 равным 5 мА
IП2 = 5 (мА)
Примем значение максимального напряжения на участке коллектор-эмиттер равным 20 В, тогда минимальное значение этого напряжения составит:
UКЭ2min= 0,1∙UКЭ2max = 2 (В)
Рассчитаем значение напряжения UКЭ2:
UКЭ2=Uн+ UКЭ2min (В)
Определим мощность, рассеиваемую на коллекторе транзистора VT2:
PКдоп2= UКЭ2·IП2 (Вт)
Определим напряжение источника питания:
Ек=2∙UКЭ2 (В)
Примем Ек= (В)
Выбираем транзисторы VT1, VT2, в соответствии с полученными параметрами, основные характеристики сводим в таблицу вида:
| Модель | Тип | P, Вт | Uкэ доп, В | Ikmax, A | βmin | fгр, МГц | Cк, пФ | Iко, мА |
VT1 |
|
|
|
|
|
|
|
| |
VT2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
Определим ток базы транзистора VT2:
(мА)
Определим ток базы и ток покоя транзистора VT1:
По графику зависимости от тока эмиттера определяем, что ≈7,5.
(А)
(А)
Примем значение тока делителя равным: (А)
Определим значение сопротивления резистора в цепи эмиттера транзистора VT2:
IR8=Iб2+IП2 (А)
(Ом)
Принимаем R8 = (Oм)
UКЭ2=ЕК-R8∙IR8 (В)
UR8=R8∙IR8 (В)
Примем значение сопротивления резистора R7 =6200 Ом:
Тогда:
IR7= Iб1 (А)
UR7=R7∙IR7 (В)
Определим значение сопротивлений резисторов в цепи делителя:
(А)
(Ом)
Принимаем R5 = (Ом)
UR5=R5∙IR5 (В)
(В)
(А)
(Ом)
Принимаем R6 = (Ом)
Будем вести расчет эмиттерного повторителя по переменному току:
Определим эквивалентное сопротивление эмиттера RЭ~ :
RЭ~ = RH || R5 || R6 || R8 (Ом)
Определим коэффициент передачи повторителя:
(Ом)
.
Определим входное сопротивление повторителя:
(Ом)
Определим выходное сопротивление повторителя:
RВЫХ.П = rЭ2 (Ом)
Определим значение емкости конденсатора С14:
(Ф)
Примем С14= (мкФ)
Определим входное напряжение повторителя:
(В)
Карты режимов
В карте режимов необходимо привести информацию обо всех элементах рассчитанного устройства, сведенную в таблицы, следующего вида:
Резисторы:
Позиционное обозначение | R, Ом | U, В | I, А | P, Вт | Тип |
R1* | 22000 | 0,698 | 0,000032 | 0,000022 | СП3-30-0,125 |
Конденсаторы:
Позиционное обозначение | C, мкФ | U, В | UMAX, В | Тип |
С1* | 0,043 | 0,655 | 25 | К10-17 |
Транзисторы:
Позиционное обозначение | Uбэ, В | Uкэ, В | IБ, А | IК, А | IЭ, А | PК, Вт | Тип |
VT1* | 0,638 | 4,819 | 0,0000039 | 0,000029 | 0,000033 | 0,00014 | 1Т311Л |
Стабилитроны:
Позиционное обозначение | UСТ, В | I, мА | P, мВт | Тип |
VD1* | 12 | 22,549 | 0,2705 | КС512А1 |
*-примеры
Спецификация элементов
В спецификации элементов необходимо привести информацию о количестве, наименовании, типе и позиционном обозначении (номере) всех элементах рассчитанного устройства, сведенную в таблицы, следующего вида:
Резисторы:
Позиционное обозначение | Наименование | Количество |
R2, R4, R5, R6…* | МЛТ-0,125 | 35 |
Конденсаторы:
Позиционное обозначение | Наименование | Количество |
C1, C2, C3, C4, C5…* | К10-17 | 19 |
Транзисторы:
Позиционное обозначение | Наименование | Количество |
VT1, VT2, VT3…* | 1T311Л | 8 |
Стабилитроны:
Позиционное обозначение | Наименование | Количество |
VD1* | КС512А1 | 1 |
* - примеры
Примерные нормы времени на выполнение работы
Нормы времени на выполнение данной курсовой работы приведены в таблице:
Вид работы | Расчет | Работа со справочными материалами | Оформление | Работа с преподавателем |
Расчет автогенератора с мостом Вина | 3ч | 1ч | 1ч | 1ч |
Составление карты режимов | - | 0,5ч | 0,25ч | - |
Составление спецификации | - | 0,5ч | 0,25ч | - |
Проработка теоретической части | - | 1ч | 0,5ч | - |
Защита | - | - | - | 1ч |
Итого: | 3ч | 3ч | 2ч | 2ч |
5. Требования к оформлению работы
Оформление контрольной работы производится согласно ГОСТ 7.32-2001 «Отчёт о научно-исследовательской работе. Структура и правила оформления». Пример оформления титульного листа приведен в приложении Б. Оформление карты режимов и спецификаций приведены на страницах 14 и 15 данных методических указаний.
Список рекомендуемой литературы.
1. Гусев, Владимир Георгиевич. Электроника и микропроцессорная техника [Текст] : учебник для студентов вузов / В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. - 5-е изд., стер. - М. : Высшая школа, 2008. - 799 с.
2. Лачин, Вячеслав Иванович. Электроника [Текст] : учебное пособие для студентов вузов, обучающихся по направлению подготовки В. И. Лачин, Н. С. Савелов. - 6-е изд., перераб. и доп. - Ростов н/Д : Феникс, 2007. - 703 с
3. Павлов, Владимир Николаевич. Схемотехника аналоговых электронных устройств [Текст] : учебник для студентов вузов/ В.Н. Павлов, В.Н. Ногин . - 3-е изд. - М. : Горячая линия - Телеком, 2005. - 320 с.
Приложение А
Содержание курсовой работы
Содержание
1. Техническое задание.
2. Возможная область применения автогенератора
3. Выбор блок-схемы.
4. Расчет цепи Вина
5. Расчет отрицательной нелинейной обратной связи
6. Расчет предварительного усилителя на транзисторах VT3-VT4
7. Расчет повторителя на транзисторах VT1, VT2
8. Карты режимов
9. Спецификация элементов
10.Технология производства и изготовления печатных и монтажных плат
11.Список использованных источников.
Приложение Б
Пример титульного листа
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
«Тюменский ИНДУСТРИАЛЬНЫЙ университет»
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
К курсовой работе
по дисциплине «Электроника и схемотехника»
Или
Приложение В
ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА
Методические указания к выполнению курсовой работы для технических специальностей заочной формы обучения
(вариант II)
Составитель
СИДОРОВА Анастасия Эдуардовна
В авторской редакции
Ответственный редактор
Кузяков О. Н., д.т.н., профессор
Подписано в печать Формат 60х90 1/16. Усл. печ. л.1,6.
Тираж 35 экз. Заказ № .
ЭЛЕКТРОНИКА И СХЕМОТЕХНИКА
Методические указания к выполнению курсовой работы для технических специальностей заочной формы обучения
(вариант II)
Составитель: А.Э. Сидорова, ассистент
Тюмень
ТИУ
2017
Электроника и схемотехника: методические указания к выполнению курсовой работы (вариант II) для студентов технических специальностей заочной формы обучения / сост. А. Э. Сидорова; Тюменский индустриальный университет.– Тюмень: Издательский центр БИК, ТИУ, 2017.– 26 с.
Методические указания рассмотрены и рекомендованы к изданию на заседании кафедры кибернетических систем
«_____» _____________ 2016 года, протокол №___.
Аннотация
Методические указания к выполнению курсовой работы (вариант II) предназначены для студентов, обучающихся по техническим специальностям. Дисциплина изучается в одном или двух семестрах.
Приведено содержание части упрощенного инженерного расчета автогенератора с мостом Вина, работающего на низкоомную нагрузку, в приложениях приведено содержание курсовой работы, вид титульного листа, ряды номинальных базовых электронных элементов.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение 4
1. Правила выбора темы курсовой работы 5
2. Типовая структура и требования к содержанию ее разделов 5
3. Рекомендации по выполнению отдельных разделов курсовой работы 6
4. Примерные нормы времени на выполнение работы 21
5. Требования к оформлению работы 21
6. Порядок защиты работы, критерии оценки 21
7. Список рекомендуемой литературы 22
Приложение А 23
Приложение Б 24
Приложение В 25
Введение
Назначение методических указаний
В курсовой работе производится выполнение упрощенного инженерного расчета автогенератора с мостом Вина.
Основными задачами выполнения курсовой работы является формирование у обучающихся необходимых знаний основных электротехнических законов и методов инженерного расчета автогенератора с мостом Вина, работающего на низкоомную нагрузку. Упрощенный инженерный расчет предполагает проведение самых простых алгебраических вычислений.
В результате выполнения курсовой работы студент должен
знать:
- принципы работы основных электрических узлов и схем, особенности их применения, их рабочие характеристики;
- элементную базу современных полупроводниковых устройств;
- базовые элементы электроники, их свойства и сравнительные характеристики;
- параметры и характеристики полупроводниковых приборов.
уметь:
- читать электрические и электронные схемы;
- использовать пакеты прикладных программ для произведения инженерных и прочих расчетов, такие как Mathcad.
владеть:
- методами инженерных расчетов для различных электронных узлов и устройств;
- способность анализировать работу электронных схем в нормальном режиме;
- умением принимать решения при выборе и анализе различных электронных элементов.
Дата: 2018-11-18, просмотров: 492.