Выходные характеристики используемого транзистора:
∆IБ=0,01 мА
Рис. 2
Уравнение нагрузочной прямой при выборе схемы с включения биполярного транзистора
Нагрузочную прямую строим по двум точкам:
1. при Iк=0 и Uкэ=Eп = 30 В
Выбираем из ряда номинальных значений =430 Ом
2. при Uкэ=0 и
Рабочая точка (т.О) выбирается посередине участка нагрузочной прямой в точке пересечения ее с выходной характеристикой (рис.2, прямая АВ).
Входные характеристики используемого транзистора:
Рис. 3
Параметры режима покоя: Uкэ0 = 16 В, Iк0= 5,5 мА, Iб0=0,03 мА, Uбэ0= 0,63 В.
Стабилизация тока осуществляется за счет последовательной отрицательной обратной связи, которая вводится с помощью резистора Rэ. Нежелательная обратная связь по переменному току может быть устранена путем шунтирования резистора Rэ конденсатором большой емкости.
Ток делителя Iд, протекающий через R2 выберем из условия Iд=(3÷10)Iб0, возьмем Iд=10Iб0=0,3 мА
Определим величины резисторов R1 и R2:
Разделительный конденсатор Сс принимаем емкостью 100 мкФ.
Исходя из имеющихся стандартных номиналов резисторов, величину Rк =2,2 кОм, R1=82 кОм, R2=10 кОм.
Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке
1.) Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора, Используя выходные характеристики транзистора (Рис. 4)
Рис. 4
2.) Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора, используем входные характеристики транзистора (Рис.5)
Рис. 5
3.) Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора, используем входные характеристики транзистора (Рис. 6)
Рис. 6
4.) Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора:
Для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принято
(DIб , DIк ,DUбэ , DUкэ – приращения, взятые симметрично относительно рабочей точки О).
Определение величин эквивалентной схемы транзистора
Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиколетто) представлена на рис. 3.
|
Рис. 7
1. Барьерная ёмкость коллекторного перехода;
2. Выходное сопротивление транзистора;
3. Сопротивление коллекторного перехода;
4. Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока;
5. Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока;
6. Распределение сопротивления базы;
Берем = 100 Ом
7. Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода;
7 нФ
8. Собственная постоянная времени транзистора;
9. Крутизна транзистора;
мА/В
Дата: 2019-12-10, просмотров: 261.