Построение нагрузочной прямой по постоянному току
Поможем в ✍️ написании учебной работы
Поможем с курсовой, контрольной, дипломной, рефератом, отчетом по практике, научно-исследовательской и любой другой работой

 

Выходные характеристики используемого транзистора:

 

∆IБ=0,01 мА

Рис. 2

 

Уравнение нагрузочной прямой при выборе схемы с включения биполярного транзистора

 

 

Нагрузочную прямую строим по двум точкам:

1. при Iк=0 и Uкэ=Eп = 30 В

 

 

Выбираем из ряда номинальных значений =430 Ом

 

2. при Uкэ=0 и

 

Рабочая точка (т.О) выбирается посередине участка нагрузочной прямой в точке пересечения ее с выходной характеристикой (рис.2, прямая АВ).

Входные характеристики используемого транзистора:

 

Рис. 3

 

Параметры режима покоя: Uкэ0 = 16 В, Iк0= 5,5 мА, Iб0=0,03 мА, Uбэ0= 0,63 В.

Стабилизация тока осуществляется за счет последовательной отрицательной обратной связи, которая вводится с помощью резистора Rэ. Нежелательная обратная связь по переменному току может быть устранена путем шунтирования резистора Rэ конденсатором большой емкости.

Ток делителя Iд, протекающий через R2 выберем из условия Iд=(3÷10)Iб0, возьмем Iд=10Iб0=0,3 мА

Определим величины резисторов R1 и R2:

 

 

 

 

 

Разделительный конденсатор Сс принимаем емкостью 100 мкФ.

Исходя из имеющихся стандартных номиналов резисторов, величину Rк =2,2 кОм, R1=82 кОм, R2=10 кОм.

 

Определение малосигнальных параметров транзистора в рабочей точке

 

1.) Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора, Используя выходные характеристики транзистора (Рис. 4)

 

 

 

Рис. 4

 

2.) Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора, используем входные характеристики транзистора (Рис.5)

 

 

Рис. 5

 

3.) Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора, используем входные характеристики транзистора (Рис. 6)

 

 

Рис. 6

4.) Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора:

Для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принято

(DIб , DIк ,DUбэ , DUкэ – приращения, взятые симметрично относительно рабочей точки О).

 

Определение величин эквивалентной схемы транзистора

 

Физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора (схема Джиколетто) представлена на рис. 3.

 

SUВХ

Рис. 7

 

1. Барьерная ёмкость коллекторного перехода;

 

 

2. Выходное сопротивление транзистора;

 

3. Сопротивление коллекторного перехода;

 

 

4. Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока;

 

 

5. Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока;

 

 

6. Распределение сопротивления базы;

 

 Берем  = 100 Ом

 

7. Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода;

 

7 нФ

 

8. Собственная постоянная времени транзистора;

 

 

9. Крутизна транзистора;

 мА/В

Дата: 2019-12-10, просмотров: 225.