Транзисторы подразделяются на биполярные и полевые. Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор, который содержит два взаимодействующих pn-перехода и предназначен для генерации, усиления и преобразования сигналов электромагнитной природы. «биполярный» означает, что физические процессы в приборе обусловлены движением носителей заряда обоих знаков (электронов и дырок). Конструктивно транзистор представляет собой монокристалл полупроводника, в котором сформулированы чередующиеся области с разным типом проводимости. Соответственно различают транзисторы: pnp и npn-типа. Средняя область, которая делается достаточно тонкой (что принципиально важно для работы транзистора), называется базой, для нее характерна наименьшая концентрация примесей. Две другие - эмиттер и коллектор. База отделена от эмиттера и коллектора эмиттерным и коллекторным pn переходами. Назначение эмиттера – инжектировать носители заряда в базу, коллектор используется для экстракции носителей из области базы. Исходя из обеспечения лучшей работы транзистора, область коллектора делается большей по размерам, чем область эмиттера. Из тех же соображений активная толщина базы делается небольшой.

Дрейфовые транзисторы, в которых перенос носителей осуществляется за счет дрейфа в электрическом поле, создаваемом на базе. Дрейфовые транзисторы могут иметь рабочие частоты выше 100 МГц, что является пределом для бездрейфовых транзисторов. По максимальной рабочей частоте транзисторы подразделяются на низкочастотные (до 30 МГц), среднечастотные (от 30 - 300 МГц), высокочастотные (до 300 МГц) и сверхвысокочастотные (свыше 300 МГц). По технологии изготовления переходов транзисторы делятся на сплавные, диффузионные, конверсионные, сплавно-диффузионные, мезатранзисторы, эпитаксимальные, планарные Биполярные транзисторы изготавливаются в дискретном исполнении и в качестве компонента интегральных микросхем. Современные сверхбольшие интегральные схемы содержат десятки и сотни тысяч транзисторов, сформированных на площади в несколько квадратных миллиметров. Схемы включения биполярного транзистора и режимы его работы. При включении транзистора в схему один из его выводов делают общим для входной и выходной цепей. В соответствии с этим бывают три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ); с общим эмиттером (ОЭ); с общим коллектором (ОК).

Существует четыре режима работы биполярных транзистора: активный, насыщения, отсечки, и инверсный активному. В активном режиме: эмиттерный переход включен в прямом направлении, коллекторный - в обратном. В режиме насыщения: оба перехода включены в прямом направлении. В режиме отсечки: оба перехода включены в обратном направлении. В режиме инверсном активному: коллекторный переход включен в прямом направлении, а эмиттерный - в обратном. Конкретная схема включения транзистора и выбор режима определяются задачей, которую должен выполнять этот прибор.