Рисунок 1.15 - Мікросхеми MC74HC240ADW та MC74HC541ADW
Таблиця 1.20 - Технічні характеристики мікросхем
| Тип корпуса: | SOIC |
| Количество выводов: | 20 |
| Напруга питания, В | -0.5...7 |
| Входное напруга, В | -0.5. .0.5 |
| Выходное напруга, В | -0.5. .0.5 |
| Ток на входе, мА | 20 |
| Ток на выходе, мА | 35 |
| Діапазон робочої температури, °С | -65. .150 |
Мікросхема MC74HC74AD.
Рисунок 1.16 - Мікросхеми MC74HC74AD
Таблиця 1.21 - Технічні характеристики мікросхеми MC74HC74AD
| Тип корпуса: | SOIC |
| Кількість виводів | 14 |
| Напруга живлення, В | -0.5...7 |
| Вхідна напруга, В | -0.5. .0.5 |
| Вихідна напруга, В | -0.5. .0.5 |
| Струм на вході, мА | 25 |
| Струм на виході, мА | 50 |
| Діапазон робочої температури, °С | -65. .150 |
Мікросхема UC3843BVD1
Мікросхема MC74HC74AD виступає у якості перетворювача напруги.
Рисунок 1.17 - Мікросхема MC74HC74AD
Таблиця 1.22 - Технічні характеристики мікросхеми MC74HC74AD
| Входное напруга, В | 36 |
| Максимальный выходной ток, мА | 200 |
| Входной ток, мА | 25 |
| Частота, кГц | 52 |
Мікросхема ATmega8515-16AI
Мікросхемі ATmega8515-16AI є мікроконтролером.
Рисунок 1.23 - Мікросхема ATmega8515-16AI
Таблиця 1.23 - Геометричні параметри мікросхеми ATmega8515-16AI
| A | A1 | A2 | D | D1 | E | E1 | B | C | L |
| 1.2 | 0.15 | 1 | 12 | 10 | 12 | 10 | 0.4 | 0.15 | 0.6 |
Таблиця 1.24 - Технічні характеристики мікросхеми ATmega8515-16AI
| Корпус: | TQFP44 |
| Швидкість: | 8-Bit |
| Частота, МГц | 16 |
| Розмір пам’яті (тип FLASH88) | 8KB (8K х 8) |
| Напруга живлення, В | 4.5 .5.5 |
| Діапазон робочої температури, ° C | 40. .85 |
| Частота, МГц | 16 |
Мікросхема HIN202IBN
Мікросхема HIN202IBN - це вузол зв'язку.
Рисунок 1.19 - Мікросхема HIN202IBN
Таблиця 1.25 - Технічні характеристики мікросхеми HIN202IBN
| Корпус | SOIC16 |
| Робоча напруга, В | 5 |
| Діапазон робочої температури, ° C | -40. .85 |
| Струм живлення, мА | 8. .15 |
Резисторна збірка 4605X-101-562.
А=20мм
Рисунок 1.20 - Резисторна збірка 4605X-101-562
Таблиця 1.26 - Технічні характеристики резисторна збірки 4605X-101-562
| Опір, Ом | 100 |
| Максимальна напруга, В | 100 |
| Температурний коефіцієнт, ppm/°C | ±100 |
| Діапазон робочої температури, ° C | -55. .125 |
Дросель B78108-S1103-K
Рисунок 1.21 - Дросель B78108-S1103-K
Таблиця 1.27 - Технічні характеристики мікросхеми дроселя
| Індуктивність, мГн | 0.1 |
| Допуск на індуктивність | ± 10% |
| Макс опір, Ом | 0.49 |
| Постійний струм, мА | 680 |
| Резонансні частоти, МГц | 35 |
Діоди BAS32L и BAV102
Рисунок 1.22 - Діод BAV102 и BAV102
Таблиця 1.28 - Геометричні параметри діодів BAV102 и BAV102
| D, мм | H, мм | L, мм |
| 1.5 | 3.5 | 0.3 |
Таблиця 1.29 - Технічні характеристики діодів BAV102 и BAV102
| BAV102 | BAV102 | |
| Тип діода: | імпульсний діод | |
| Максимальна постійна зворотня напруга, В: | 75 | 150 |
| Максимальний прямий (випрямлений за напівперіод) струм, А | 0.2 | 0.25 |
| Корпус | SOD80C | SOD80C |
| Максимальний час зворотного відновлення, мкс | 0.004 | 0.004 |
| Максимальна імпульсна зворотня напруга, В | 100 | 200 |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм, А | 0.45 | 0.625 |
| Максимальний зворотній струм, мкА при 25°С | 5 | 9 |
| Загальна ємність Сд, пФ: | 2 | 2 |
| Робоча температура, С: | -65... 200 | -65...175 |
| Спосіб монтажу | SMD | SMD |
Діод PRLL5819
Рисунок 1.23 - Діод PRLL5819
Таблиця 1.30 - Геометричні параметри діоду PRLL5819
| D, мм | D1, мм | H, мм | L, мм |
| 2 | 1.9 | 3.5 | 0.3 |
Таблиця 1.31 - Технічні характеристики діоду PRLL5819
| Тип динода | диод Шотки |
| Максимальна постійне зворотне напруг, В | 40 |
| Максимальний прямий (випрямлений за напівперіод) струм, А | 1 |
| Корпус | SOD87C |
| Максимальний час зворотного відновлення, мкс | 0.01 |
| Максимальна імпульсна зворотня напруга, В | 600 |
| Максимально допустимий прямий імпульсний струм, А | 0.45 |
| Робоча температура, С | -65...125 |
| Спосіб монтажу | SMD |
Транзистор IRFU220
Рисунок 1.24 - Транзистор IRFU220
Таблиця 1.32 - Технічні характеристики транзистору IRFU220
| Полярність транзистора | N-канал |
| Максимальна напруга колектор-база, В | 200 |
| Максимально допустимий струм колектора, А | 4,8 |
| Тепловиділення, мВт | 2500 |
| Опір стік-витік, Ом | 0,8 |
| Час затримки, нс | 19 |
| Пробивна напруги, В | 20 |
| Діапазон робочої температури, C | -55…150 |
Транзистор BC546B
Рисунок 1.25 - Транзистор BC546B
Таблиця 1.33 - Технічні характеристики транзистору BC546B
| Максимальна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектор і розімкнутого ланцюга емітером (Uкбо макс), В | 80 |
| Максимальна напруга колектор-база при заданому струмі колектор і розімкнутого ланцюга база (Uкео макс), В | 65 |
| Максимально допустимий струм до (Ік макс) | 0.1 |
| Гранична частота коефіцієнта передачі струму fгр, МГц | 150 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 0.63 |
| Корпус | TO92 |
Вилка D-Sub 09 66 162 7811.
Рисунок 1.26 - Вилка D-Sub 09 66 162 7811
Таблиця 1.34 - Геометричні розміри транзистору IRFU220
| a | b | c1 | c2 | f |
| 30.9 | 25 | 12.9 | 12.5 | 2.74 |
Тип конектора: D Sub;;
Кількість контактів: 9;
Матеріал корпуса: метал.
Вилка 90122-0768
W=0.800 mm
Рисунок 1.27 - Вилка 90122-0768
Вилка 90131-0765.
W=0.500 mm
Рисунок 1.28 - Вилка 90131-0765
Вилка Gds A-C 32.
Рисунок 1.29 - Вилка A-C 32
Стабілітрон BZX84-C5V6.
Рисунок 1.30 - Стабілітрон BZX84-C5V6
Таблиця 1.35 - Технічні характеристики стабілітрону BZX84-C5V6
| Потужність розсіювання, Вт | 0.2 |
| Мінімальна напруга стабілізації, В | 5.32 |
| Номінальна напруга стабілізації, В | 5.6 |
| Максимальна напруга стабілізації, В | 5.88 |
| Статичний опір Rст (при струмі I ст 20мА), Ом | 10 |
| Робоча температура, С | -55…150 |
| Спосіб монтажу | SMD |
| Корпус | SOT-23 |
Резонатор Q-16.0-S-30-30/30-T1.
Рисунок 1.31 - Резонатор Q-16.0-S-30-30/30-T1
Таблиця 1.36 - Технічні характеристики резонатору Q-16.0-S-30-30/30-T1
| Резонансна частота, МГц | 16 |
| Температурний коефіцієнт, Кт 10-6 | 30 |
| Навантажувальна ємність, пФ | 30 |
| Діапазон робочої температури, С | -40...80 |
Дата: 2019-12-22, просмотров: 267.
